Vào 9h ngày 18/06/2015 tại P318, C1 Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội tổ chức lễ bảo vệ luận án Tiến Sĩ cấp trường cho NCS Phạm Văn Tuấn, Chuyên ngành: Vật liệu điện tử. Đề tài: “Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của dây nano Si và Si:Er3+”.

Dưới đây là một vài hình ảnh về buổi lễ bảo vệ của NCS. Phạm Văn Tuấn:

 NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS. Phạm Văn Tuấn trình bầy kết quả luận án TS của mình trước hội đồng

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

Các Ủy viên hội đồng đọc nhận xét và phản biện

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

 NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS Phạm Văn Tuấn trả lời và giải đáp các câu hỏi của các thành viên Hội đồng

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

Chủ tịch hội đồng, Giáo sư. Nguyến Đức Chiến thay mặt hội đồng đọc kết quả và tuyên bố buổi lễ bảo vệ luận án Tiến sĩ của NCS. Phạm Văn Tuấn thành công tốt đẹp, kết quả và hướng nghiên cứu khoa học trong đề tài được các thành viên hội đồng đánh giá cao.

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

Đại diện Lãnh đạo Viện Đào tạo sau đại học, Trường ĐHBK-HN tặng hoa chúc mừng.

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

Đại diện Lãnh đạo Viện ITIMS, Trường ĐHBK-HN tặng hoa chúc mừng.

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

Đại diện Lãnh đạo Viện AIST, Trường ĐHBK-HN tặng hoa chúc mừng.

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS. Phạm Văn Tuấn phát biểu gửi lời cảm ơn…

NCS Phạm Văn Tuấn bảo vệ luận án Tiến Sĩ

NCS. Pham Văn Tuấn gửi tặng bó hoa cảm ơn tới Giảng viên hướng dẫn TS.PGS. Phạm Thành Huy và TS. Trần Ngọc Khiêm đã dìu dắt tận tình trong suốt thời gian qua…

Chúc tân TS. Phạm Văn Tuấn Sức khỏe và Thành công trên con đường Khoa học của mình.