TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU (ITIMS)
DANH SÁCH ĐỀ TÀI LUẬN VĂN THẠC SĨ KHÓA B2010
Chuyên ngành: KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU (VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ)
Dự kiến cho lớp: VLĐT B2010
| TT |
GV hướng dẫn |
Đơn vị |
Tên đề tài |
Mục tiêu chính |
Nội dung đề tài |
Ghi chú |
|
| (1) |
(2) |
(3) |
(4) |
(5) |
(6) |
(7) |
|
|
|
HDC: TS. Nguyễn Phúc Dương
Email: duong@itims.edu.vn DĐ: 0915527063 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Chế tạo và nghiên cứu tính chất từ của vật liệu Sr pherit pha tạp La và Mg có kích thước nanomet | Tổng hợp được các hạt pherit Sr pha tạp với cáca nồng độ La & Mg khác nhau, có kích thước nanomet | – Nghiên cứu các điều kiện công nghệ chế tạo mẫu
– Tiến hành các phép đo cấu trúc tinh thể và vi cấu trúc – Tiến hành các phép đo từ – Thảo luận, phân tích và giải thích các kết quả thu được |
||
|
|
HDC: TS. Nguyễn Văn Hiếu
Email: hieu@itims.edu.vn DĐ: 0912786572 NR : 36622283 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Nghiên cứu chế tạo cảm biến theo nguyên lý hiệu ứng trường trên cơ sở vật liệu graphene | Thiết kế, chế tạo được cảm biến trên cơ sở hiệu ứng trường sử dụng vật liệu graphene và tìm hiểu khã năng nhạy khí, tác nhân sinh học của loại cảm biến này | – Nghiên cứu các cấu hính khác nhau của linh kiện hiệu ứng trường (FET) và lựa chọn cấu trúc phù hợp để chế tạo linh kiện FET sử dụng vật liệu graphene.
– Thiết kế chế tạo mặt nạ kim loại dùng để chế tạo linh kiện graphene FET. – Khảo sát các tính chất điện của loại linh kiện này. – Nghiên cứu khã năng nhạy với các tác nhân sinh học và hóa học của loại linh kiện này. |
||
|
|
HDC: TS. Nguyễn Văn Hiếu
Email: hieu@itims.edu.vn DĐ: 0912786572 NR : 36622283 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Biến tính dây nano với các vật liệu xúc tác thích hợp nhằm ứng dụng cho cảm biến khí CO và NO2 | Lựa chọn được vật liệu thích hợp cho dây nano nhằm ứng dụng cho cảm biến khí CO và NO2 | – Tìm hiểu các loại vật liệu dây CO và NO2.
– Lựa chọn một số vật liệu xúc tác phù hợp để tiến hành nghiên cứu. – Khảo sát chi tiết 2 loại vật liệu cho độ nhạy và độ chọn lọc tốt với 2 loại khí CO và NO2 – Tiến hành nghiên cứu tối ưu một số tham số công nghệ như nồng độ dung dịch biến tính, nhiệt độ xử lý, nhiệt độ làm việc của cảm biến – Nghiên cứu cơ chế nhạy khí của vật liệu xúc tác |
||
|
|
HDC: PGS.TS. Vũ Ngọc Hùng
Email: hungvungoc@itims.edu.vn DĐ: 0915396901 NR : 37871426 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Nghiên cứu chế tạo cảm biến quán tính sử dụng cấu trúc răng lược trên cơ sở công nghệ MEMS | Đưa ra thiết kế và xây dựng qui trình công nghệ chết tạo cảm biến quán tính MEMS để đo vận tốc góc và gia tốc | – Thiết kế mô phỏng cảm biến sử dụng phần mềm ANSYS
– Thiết kế bộ mặt nạ – Xây dựng qui trình công nghệ chế tạo – Triển khai chế tạo cảm biến – Đo đạc khảo sát đặc trưng của cảm biến |
||
|
|
HDC: TS. Trần Ngọc Khiêm
Email: khiem@itims.edu.vn DĐ: 0915330814 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Nghiên cứu chế tạo vật liệu nano-composite pha tạp Eu3+ ứng dụng trong việc chế tạo linh kiện điện huỳnh quang | – Chế tạo thành công vật liệu nano-composite trên cơ sở vật liệu SiO2-SnO2 pha tạp Eu3+ có chất lượng quang học tốt
– Chế tạo một loại linh kiện điện huỳnh quang trên cơ sở vật liệu đã tổng hợp được |
– Chế tạo vật liệu nano-composite SiO2-SnO2 pha tạp Eu3+ bằng phương pháp sol-gel và nhiệt thủy phân
– Nghiên cứu cấu trúc của vật liệu bằng giản đồ nhiễu xạ tia X và kính hiển vi điện tử truyền qua TEM và phổ Raman – Nghiên cứu tính chất quang của vật liệu bằng phổ huỳnh quang và kích thích huỳnh quang – Chế tạo linh kiện khuyếch đại và dẫn song phẳng trên cơ sở vật liệu đã tổng hợp được |
||
|
|
HDC: TS. Nguyễn Khắc Mẫn
Email: nkman@itims.edu.vn DĐ: 0916 349124 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Nghiên cứu ảnh hưởng tạp từ Nd lên mật độ dòng tới hạn biên hạt của vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao nền Bismuth | Nghiên cứu quy luật phụ thuộc của mật độ dòng tới hạn biên hạt vào nồng độ Nd thay thế cho Ca trong siêu dẫn nền Bismuth | Chế tạo các mẫu siêu dẫn nền Bismuth (BSCCO) pha tạp Nd ở các nồng độ khác nhau, khảo sát các tính chất vật lý và mật độ dòng tới hạn biên hạt. Kết quả lựa chọn chế độ công nghệ thích hợp chế tạo mẫu siêu dẫn với khả năng tải dòng điện cao | ||
|
|
HDC: TS. Vũ Văn Quang
Email: vuvanquang@itims.edu.vn DĐ: 0979692244 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Tổng hợp graphene diện tích lớn bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) và ứng dụng chế tạo pin mặt trời (Large-scale synthesis of graphene by chemical vapor deposition (CVD) for solar cell applications). | Chế tạo thành công graphene có diện tích lớn (50 x 50 mm2) và pin mặt trời trên cơ sở chuyển tiếp Schottky | – Khảo sát sự ảnh hưởng của nhiệt độ, áp suất, tỉ lệ khí trộn nhằm tối ưu hóa quá trình tổng hợp graphene.
– Đo đạc cấu trúc và các tính chất quang, điện của graphene. – Thiết kế chế tạo cấu trúc pin mặt trời trên cơ sở cấu trúc Schottky của p/n type Si/Graphene |
||
|
|
HDC: TS. Nguyễn Văn Quy
Email: quy@itims.edu.vn DĐ: 01256320339 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Cảm biến khí kiểu thay đổi khối lượng dựa trên vật liệu graphene | – Chế tạo ra vật liệu graphene trên đế Cu bằng phương pháp CVD (lắng đọng hoá học ở thể hơi).
– Chuyển đổi màng graphene từ đế Cu sang điện cực vàng của QCM (Vi cân thạch anh) để tạo ra cảm biến kiểu thay đổi khối lượng. |
– Tối ưu hoá các thông số kỹ thuật trong phương pháp CVD để tạo ra màng graphene trên đế Cu tinh khiết.
– Chế tạo cảm biến khí kiểu thay đổi khối lượng bằng kỹ thuật chuyển đổi màng graphene trên đế Cu sang điện cực vàng của QCM. – Đo đạc đặc nhạy khí của cảm biến chế tạo ra. |
||
|
|
HDC: TS. Mai Anh Tuấn
Email: tuanma-itims@mail.hut.edu.vn DĐ: 0912257173 CQ : 38680787 |
Viện ITIMS | Nghiên cứu chế tạo màng mô-lip-đen ứng dụng làm điện cực dẫn điện trong pin mặt trời | Màng Mo nhận được bằng phương pháp phún xạ, bám dính tốt trên các đế silicon và thủy tinh | – Tối ưu hóa tốc độ tạo màng, áp suất (chân không), nhiệt độ đế (nếu có)
– Tạo các màng Mo có bề dầy 100-200 nm có điện trở suất gần với điện trở suất của vật liệu khối – Xác định bề dầy màng bằng các phương pháp khác nhau (AFM, Alpha Step…) – Thử nghiệm trên Pin mặt trời màng mỏng |
||
|
|
HDC : TS. Phương Đình Tâm
DĐ : 0906158386 HDP: TS. Mai Anh Tuấn Email: tuanma-itims@mail.hut.edu.vn DĐ: 0912257173 CQ : 38680787 |
Viện HAST
Viện ITIMS |
Nghiên cứu chức năng hóa grapheme nhằm ứng dụng cho cảm biến sinh học | Chức năng hoá được đoạn ADN lên bề mặt grapheme
– Sử dụng vật liệu được chức năng trên bề mặt cảm biến để xác định virút gây bệnh |
– Nghiên cứu chức năng hoá graphene dựa vào các phương pháp hoá học, điện hoá…;
– Nghiên cứu các thông số ảnh hưởng đến quá trình chức năng hoá như thành phần dung dịch đệm, độ pH, nhiệt độ; – Nghiên cứu ứng dụng vật liệu graphene đã được chức năng hoá để xác định vi rút gây bệnh |
||
|
|
HDC: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
Email: tuanna@itims.edu.vn DĐ: 0904403687 CQ : 04-38680787/210 |
Viện ITIMS | Sự truyền qua môi trường có cấu trúc dạng hạt sắt từ nano phân tán trong nền phi từ của ánh sáng đơn sắc | Quan sát bằng thực nghiệm và giải thích được cơ chế của sự thay đổi cường độ của ánh sáng đơn sắc khi truyền qua một môi trường có cấu trúc dạng hạt với kích thước, mật độ và tính chất sắt từ khác nhau, dưới tác dụng của từ trường ngoài | Chế tạo bằng kỹ thuật phún xạ các màng mỏng từ có cấu trúc dạng hạt kiểu FM-NM (NM = Cu, Ag, Al2O3) với tỷ lệ thành phần và tính chất sắt từ của các hạt FM khác nhau (Co, Ni, Fe, CoFe, NiFe, …). Khảo sát ảnh hưởng của từ trường ngoài lên sự truyền qua của ánh sáng đơn sắc đối với các loại màng mỏng FM-NM chế tạo được | ||
|
|
HDC: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
Email: tuanna@itims.edu.vn DĐ: 0904403687 CQ : 04-38680787/210 |
Nghiên cứu ảnh hưởng của từ trường ngoài lên các đặc trưng phổ trở kháng phức của các màng mỏng MTJ dạng hạt | Thấy được vai trò của kỹ thuật phổ trở kháng phức (CIS) trong nghiên cứu tính chất dẫn điện, đặc biệt là tính chất dẫn điện phụ thuộc spin ở tần số cao, trong các hệ có cấu trúc nano dựa trên các màng mỏng từ dạng hạt (kiểu GMTJ), khi có tác dụng của từ trường ngoài | Chế tạo bằng kỹ thuật phún xạ các màng mỏng từ có cấu trúc dạng hạt FM-I (FM = Co, Ni, Fe, CoFe, NiFe,… I = Al2O3) với tỷ lệ thành phần của các hạt sắt từ khác nhau. Khảo sát và giải thích cơ chế dẫn đến ảnh hưởng của từ trường ngoài lên các đặc trưng của phổ trở kháng phức |
Hà Nội, ngày 10 tháng 11 năm 2010
TRƯỞNG KHOA/VIỆN
Lưu ý: – Thứ tự đề tài xếp theo vần a,b,c tên của người hướng dẫn chính.