Hội nghị Cảm biến hóa học khu vực Châu Á lần thứ 12 

Kính gửi các Đồng nghiệp,

Viện ITIMS tổ chức Hội nghị Cảm biến hóa học khu vực Châu Á lần thứ 12 (the 12th Asian Conference on Chemical Sensors - ACCS 2017) vào ngày 12-15 tháng 11 năm 2017 tại Khách sạn Pan Pacific Hotel Hanoi.

Cũng trong hội nghị này, Viện ITIMS sẽ tổ chức một Symposium về Advanced Materials and Nanotechnology nhằm kỷ niệm 25 năm ngày thành lập Viện ITIMS. Đây là cơ hội để các đồng nghiệp, bạn bè, cựu học viên và các đối tác thể hiện tình cảm của mình với ITIMS.

Hội nghị bao gồm các chủ đề: 

A – Sensor Fundamentals

• A1 – Fundamentals: Principle & Methodology
• A2 – Sensing Mechanism: Semiconductor & Nanotechnology
• A3 – New Sensing & Functionalized Materials

B – Sensor System & Devices

• B1 – Chemical Sensors
• B2 – Electrochemical Sensor
• B3 – Optical Sensor
• B4 – Biochemical Sensors
• B5 – Bio Inspired Sensing
• B6 –Hybrid Sensor Devices
• B7 –Sensor packaging

C- Application & Technology

• C1 – E-Nose: Devices and Application
• C2 – Sensing for Health, Safety and Security
• C3 – Chemical Sensing for Environmental
• C4 – Wireless Sensor Network & IoT
• C5 –Flexible and Stretchable Sensors
• C6 – Mobile Olfaction
• C7 –Chemical Sensors for Agriculture and the Food Industry

D – Chemometrics, Modelling & Evaluation

• D1 – Sensor Arrays
• D2 – Data Analysis & Chemometrics
• D3 – Sensor Fusion
• D4 – Modelling and Evaluation

E – Advanced Materials and Nanotechnology

(This symposium is dedicated to the 25th anniversary of the International Training Institute for Materials Science (ITIMS). We would like to invite all friends of ITIMS to participate in this symposium)

•  E1 –Magnetism, multiferroism, and topological insulators
•  E2 – Advanced materials and functional devices
•  E3 – Micro- and nanotechnology and applications
•  E4 – Photonics and semiconductor nanophysics

Ban tổ chức xin trân trong kính mời tất cả đồng nghiệp, bạn bè, cựu học viên,các đối tác, các nhà khoa học gửi bài và tham gia vào hội nghị.

Chi tiết về hội nghị có thể xem chi tiết tại Website: http://accs2017.org/

Trân trọng,

Thay mặt ban tổ chức,
GS.TS. Nguyễn Văn Hiếu

THƯ NGỎ

LỄ KỶ NIỆM LẦN THỨ 25 NGÀY THÀNH LẬP VIỆN ITIMS

Kính gửi: - Quý Thầy giáo, Cô giáo đã và đang công tác tại Viện ITIMS;
               - Các bạn học viên cao học, nghiên cứu sinh thuộc các thế hệ đã và đang học tập tại ITIMS.

Năm 2017 đánh dấu một mốc son bằng LỄ KỶ NIỆM LẦN THỨ 25 NGÀY THÀNH LẬP VIỆN ITIMS. Trải qua một phần tư thế kỷ, ITIMS không chỉ giữ vững và khẳng định được vị thế của một viện nghiên cứu tại một trong những trường đại học kỹ thuật hàng đầu đất nước mà còn được bạn bè quốc tế công nhận thông qua những sản phẩm khoa học và đào tạo chất lượng cao. Từ mái nhà ITIMS, nhiều thế hệ học viên đã trưởng thành, trở thành những nhà lãnh đạo, những nhà khoa học, những công dân tốt, đóng góp quan trọng cho sự nghiệp giáo dục, xây dựng và phát triển đất nước. Sự đóng góp của Viện đã được nhà nước ghi nhận thông qua nhiều giải thưởng cao quý.

Thông báo liên quan đến việc bài báo “Investigation of Co-Doped ZnO Nanowires by X-ray Absorption Spectroscopy and Ab Initio Simulation” của tác giả Chu Manh Hung và cộng sự rút khỏi tạp chí Journal of Electronic Materials.

Chúng tôi rất lấy làm tiếc về việc bài báo trên của nhóm đã phải rút khỏi tạp chí J. Electronic Mater. Lý do bài báo bị rút khỏi tạp trí không liên quan đến chất lượng khoa học của bài báo mà do sự hiểu nhầm và không thống nhất giữa tác giả chính (Chu Manh Hung) và đối tác hợp tác nghiên cứu (GS Carsten Ronning) liên quan đến việc sử dụng một số kết quả thực nghiệm cũ để bổ trợ cho các tính toán mô phỏng mới được trình bày trong bài báo của tạp chí J. Electronic Mater. Tuy nhiên với bất kỳ lý do gì, việc bài báo bị rút khỏi tạp chí là một điều đáng tiếc và tác giả chính xin nhận trách nhiệm về mình. Đây cũng là một bài học sâu sắc cho nhóm tác giả cũng như các đồng nghiệp sau này trong vấn đề hợp tác nghiên cứu.

Thư quyết định rút bài báo [6] khỏi tạp chí J. Electronic Mater rõ ràng liên quan đến sự hiểu lầm, thiếu trao đổi và không thống nhất giữa tác giả chính và đồng nghiệp cũ (vì tác giả chính cho rằng đây là bài báo về mô phỏng, chỉ sử dụng một phần kết quả thực nghiệm trước đây để bổ trợ, nên chỉ cảm ơn các đối tác cũ trong phần cảm ơn mà không đưa vào danh sách đồng tác giả). Nội dung này là khác so với lý do rút bài được nhà xuất bản đưa ra ở dưới (tháng 6/2017):

 “The Publisher has retracted this article at the request of the Editor-in-Chief, following an investigation that revealed extensive duplication of previous publications, and premature inclusion of preliminary data supplied by collaborators without prior approval”

Lý do rút bài mà nhà xuất bản đưa ra đúng một phần ở ý thứ hai, còn nội dung thứ nhất không phản ánh đúng thực tế. Nhóm tác giả đang gửi thư tới editor-in chief để làm rõ vấn đề này. Cả hai nội dung này sẽ được bình luận ở phía dưới chi tiết hơn để bạn đọc hiểu được vấn đề.

Trước khi đi sâu về việc giải trình chi tiết, tác giả chính-người chịu trách nhiệm về nội dung bài báo phải nhắc lại rằng, hướng nghiên cứu của bài báo và kết quả báo cáo là của tác giả chính trước khi về công tác tại ITIMS. Các đồng tác giả của bài báo này [6] chỉ tham gia thảo luận về các kết quả mô phỏng, hoàn toàn không phải là người chịu trách nhiệm về nội dung liên quan đến bài báo. Các kết quả thực nghiệm do tác giả chính thực hiện bên nước ngoài. Các kết quả mô phỏng độc lập được tác giả tiếp tục triển khai và hoàn thiện ở Việt Nam trước khi gửi công bố. 

Về nội dung 1: “The Publisher has retracted this article at the request of the Editor-in-Chief, following an investigation that revealed extensive duplication of previous publications”

Xuất phát từ các kết quả hợp tác nghiên cứu thực nghiệm của nhóm nghiên cứu tại Pháp nơi mà tác giả chính TS Hung làm NCS trong thời gian nghiên cứu ở nước ngoài từ 2011 đến 2014 và đối tác phía Đức (Phía Đức cung cấp mẫu; phía Pháp trong đó TS Hưng đảm nhận các phần đo đạc, xử lý, phân tích số liệu, và cùng nhau viết bài). Các kết quả thực nghiệm dựa trên sự hợp tác đã được hai bên công bố trong các công trình chung [1-5].

Mặc dù các kết quả thực nghiệm được trình bày, báo cáo, thảo luận chi tiết dựa trên những hiểu biết chuyên môn của nhóm, một số vấn đề tồn tại chưa thể giải quyết trong các công bố trước đây là:

• Việc mô phỏng/tính toán lý thuyết phổ hấp thụ tia X bờ hấp thụ Zn để chứng minh kết quả thực nghiệm thu được.
• Sử dụng mô phỏng/tính toán để định lượng số lượng khuyết tật oxy trong dây sau khi cấy là như thế nào

Trong công trình công bố trên tạp chí JEMS, tác giả đã trình bày rõ trong phần “Introduction” về vấn đề mới cần được giải đáp trong bài báo là liên quan đến phần mô phỏng để giải quyết hai vấn đề trên chứ không báo cáo kết quả mới về thực nghiệm, ví dụ như: “Although previous experimental studies, using x ray absorption spectroscopy,12,13 reported recovery of ion implantation-induced damage in single nanowire structures after thermal annealing, detailed ab initio simulations of the x-ray absorption cross-section around the Zn K edge, to confirm the experimental results, have not been published...”. Chính vì thế trong bài này tác giả và đồng nghiệp đã tìm cách giải quyết vấn đề nêu trên sử dụng phương pháp mô phỏng bằng phần tử hữu hạn “finite-difference method near-edge structure (FDMNES) code in the dipolar approximation within the full multiple-scattering (FMS) approach”

Đối tượng nghiên cứu là hai loại dây nano bán dẫn ZnO cấy nguyên tố Co được xử lý ở các điều kiện khác nhau:

1. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ phòng và sau đó được xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao (RT-implanted-PA)
2. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ cao và sau đó lại được xử lý tiếp ở nhiệt độ cao (RT-implanted-PA). Trong bài [4] được ký hiệu HT-implanted.

Về việc sử dụng kết quả thực nghiệm của hai loại dây này để được chứng minh bằng mô phỏng là mới và không hề có sự lặp lại với các công trình công bố trước đây. Tác giả sẽ chỉ ra kết quả thực nghiệm nào được sử dụng lại và kết quả nào là mới giữa bài báo đăng trên JEM và một bài đăng từ trước của tác giả [4]. Bài báo trên Phys. Status. Solidi A 211, 483 (2014) là thuần túy về thực nghiệm và đồng thời là báo cáo kết quả thực nghiệm của hai loại dây:

1. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ phòng và KHÔNG xử lý nhiệt (RT-implanted).
2. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ cao và sau đó lại được xử lý tiếp ở nhiệt độ cao (HT-implanted).

Rõ ràng, đối tượng nghiên cứu của bài báo [6] là mới và đã được mở rộng. Một số dữ liệu thực nghiệm của loại dây này (HT-implanted) được sử dụng lại để so sánh cũng như là đối tượng cho kết quả mô phỏng [6]. Xuất phát từ suy nghĩ đơn giản là các kết quả thực nghiệm trước đây do mình đo đạc, xử lý và phân tích; đồng thời một số dữ liệu đó đã được công bố cùng với cộng sự rồi [4] trong đó tác giả là tác giả chính và cũng là người chịu trách nhiệm “first and corresponding author” về bài báo đó nên trong bài này [6] với mục đích dùng một số số liệu thực nghiệm cũ - đã xuất bản để minh chứng cho các kết quả mô phỏng mới, tác giả đã không hỏi lại ý kiến cũng như đưa tên của các cộng sự cũ vào bài báo mà chỉ cảm ơn họ ở phía cuối bài. Thêm vào đó, một số dữ liệu đó được sử dụng lại nhưng tác giả không lấy giống hoàn toàn kết quả trong bài [4], những dữ liệu đó  đều được xử lý lại để phù hợp cho mục đích làm minh chứng và bổ trợ cho kết quả tính toán và so sánh với đối tượng mới. Để tránh gây hiểu lầm cho phản biện và độc giả về việc mình báo cáo lại kết quả thực nghiệm, cũng như nghĩ mình là tác giả chính và người chịu trách nhiệm về những dữ liệu đó nên mình có thể được sử dụng lại với mục đích làm đối tượng cho kết quả mô phỏng mới, do đó tác giả đã không trích dẫn bài [4] của mình vào. Sau khi nhận được phân tích từ các nhà khoa học có kinh nghiệm, nếu như trong bài [6] có thêm các đồng tác giả từ bài [4] thì cách làm của tác giả chính như suy nghĩ sẽ là hợp lý; tuy nhiên trong trường hợp thực tế khi không có sự tham gia cùng của các đồng nghiệp thì việc thiếu trích dẫn bài [4] của mình là một sai sót. Đây là cái sai sót thứ nhất của tác giả và xin nhận khuyết điểm để tránh lặp lại trong quá trình viết bài sau này.

Chi tiết kết quả của hai bài báo đề cập được tác giả so sánh dưới đây để bạn đọc nhìn nhận được vấn đề được rõ ràng và khách quan hơn.

• Liên quan đến Hình 1 trong bài JEM, tác giả đã sử dụng một phần trong Hình 2 của bài [4], cụ thể đó chính là Hình 2(c) và một phổ XRF trong Hình 2(a) vì dây này được sử dụng trong việc so sanh với loại dây khác trong bài JEM. Do vậy trong bài Hình 1 của bài JEM thì Dữ liệu của Hình 1(d) và một phổ của trong Hình 1(b) là được sử dụng lại nhưng đã được xử lý lại để phù hợp với mục đích so sánh (được chú thích trong hình phía dưới), còn lại các phần còn lại trong Hình 1 là hoàn toàn mới không có sự lặp lại với kết quả trước đã công bố.
  
  
  
  

•  Đối với Hình 2 trong bài JEM, bỏ qua vấn đề về scale và tên đơn vị trên các trục vì nó không làm thay được bản chất của vấn đề, tùy từng mục đích mà mình để các scale khác nhau. Hình 2(a) trong bài JEM là sự so sánh kết quả thực nghiệm và mô phỏng. Đây là kết quả hoàn toàn mới và có ý nghĩa để chúng tôi công bố công trình [6]. Trong Hình 2(b) của bài JEM được sử dụng một phần dữ liệu trong Hình 2(a) của bài [4] để so sánh (mô tả ở Hình dưới).
  
  

• Đối với Hình 3 trong bài JEM, thì là mới không có sự trùng lặp so với các công bố trước đây
  
  
  

• Hình 4 trong bài JEM là kết quả PL và kết quả quả mô phỏng để định lượng số lượng oxy khuyết tật trong dây nano. Hình 2(a) của bải JEM thì cũng hoàn toàn chưa được công bố, trong Hình này tác giả đã sử dụng 01 dữ liệu "raw" trong Hình 5 của bài [4] để so sánh (mô tả ở Hình dưới). Một phổ còn lại trong Hình 2(a) là mới và chưa được công bố. Hình 4(b) trong bài JEM thì hoàn toàn mới là kết quả mô phỏng tính toán.




Về nội dung 2: “Premature inclusion of preliminary data supplied by collaborators without prior approval”

Kết quả PL thì tác giả chính được phía đối tác cung cấp từ thời gian làm PhD, và cho phép sử dụng để hỗ trợ giải thích các kết quả thực nghiệm làm bên phía Pháp, sau khi tác giả xử lý xong và viết bài có sử dụng kết quả đó và công bố chung cùng các đồng nghiệp trên bài [4]. Còn 01 phổ trong Hình 4(a) là không được sử dụng cho mục đích gì từ đó đến nay. Khi có ý tưởng về việc kết hợp việc tính toán mô phỏng để giải quyết vấn đề cho hai loại dây trong bài thì tác giả có sử dụng, do nghĩ đơn thuần là phổ đó đã không được dùng vào các nội dung nghiên cứu chung từ 2014 đến nay và đối tác đã trao quyền sử dụng cho mình, chính vì thế tác giả sử dụng và không thông báo lại với họ mà chỉ cảm ơn ở phần cuối của bài báo. Đây chính là cái sai sót thứ hai của tác giả. Tác giả xin nhận khuyết điểm này và chắc chắn nó sẽ là bài học cho mình cũng như những đồng nghiệp trẻ trong việc hợp tác với các đối tác sau này.

Kết luận: Việc giải trình như trên để bạn đọc biết rõ về tính mới mẻ của bài báo [6]. Tuy nhiên để xảy ra vấn đề này tác giả chính và cộng sự cũng có những sai sót nhất định như đã nói ở trên. Tác giả xin nhận trách nhiệm về những sai sót xảy ra và sẽ lấy đó làm bài học trong quá trình hợp tác sau này. Tác giả hy vọng được cộng đồng khoa học trong nước chia sẻ, hiểu đúng bản chất vấn đề và xin lỗi vì những phiền toái đã xảy ra.  

Mọi góp ý, thảo luận về vấn đề khoa học của bài báo xin vui lòng gửi theo địa chỉ email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó. , chúng tôi rất cầu thị và sẵn sàng lắng nghe mọi góp ý và trao đổi.

Thay mặt nhóm tác giả

(Tác giả chính)

 

Chi tiết có thể tham khảo trên các công trình liên quan:

[1].  M. H. Chu et al. Phys. Status Solidi RRL 5, 283 (2011)

[2].  J, Segura-Ruiz et al. Nano Lett. 11, 5322 (2011).

[3].  M. H. Chu et al. Appl. Phys. Lett. 103, 141911 (2013)

[4].  M. H. Chu et al. Phys. Status. Solidi A 211, 483 (2014)

[5].  M. H. Chu et al. Phys. Status. Solidi A 211, 2523 (2014)

[6].  M. H. Chu et al. J. electronic materials, 46, 3317 (2017)

Thời gian: 9:00 - 11:30, thứ 3, ngày 29, tháng 8, năm 2017;

Địa điểm: Tầng 4 hội trường ITIMS, Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Bách khoa Hà Nội.

Thời gian cụ thể như sau:

09:00-09:05: Opening speech

09:05-09:10: Welcome speech from ITIMS

09:10-10:10: 

• i.  Introduction to NTHU and graduate programs at PME Department & NEMS Institute
• ii. Short Seminar Presentations         
• 1. “Quantitative Flow Visualization in Microfluidic Devices” by Prof.Chih-Yung Huang
• 2. “BioMedicine on Micro Lab on Chip” By Prof. Cheng-Hsien Liu
• 3. “Magnetic Nanotechnology for Bio-manipulation” by Prof. Zung-Hang Wei 

10:10-10:20: Q&A

10:20-10:50: Research collaboration discussion between Profs

10:50-10:55: Break coffee 

10:55-11:25: Interaction betwe en NTHU Profs and students who are interested in NTHU Graduate Programs

Giới thiệu sơ lược:

National Tsinghua University là một trường đại học lớn và có uy tín tại Đài Loan (Taiwan) cũng như trên thế giới. Trường nằm trong top 2 tại Đài Loan, và top 200 trên thế giới. Đặc biệt, Viện NanoEngineering & MicroSystem đứng thứ nhất Đài Loan, và đứng thứ 2 châu Á về lĩnh vực "MicroSystem and NanoEngineering”. Trường được đặt tại Hsinchu, nơi có Science Park, được mệnh danh là thung lũng Silicon của Đài Loan. Do vậy, sinh viên nhà trường có nhiều cơ hội thực tập cũng như tìm kiếm công việc sau khi tốt nghiệp. Thành phần phái đoàn trường Tsing Hua:

1. Prof. Cheng-Hsien Liu. Profile link: http://mx.nthu.edu.tw/~chhsliu/CHLiu_Bio.html
2. Prof. Zung-Hang Wei. Profile link: http://nano.pme.nthu.edu.tw/zhwei/en-nebs.html
3. Prof. Chih-Yung Huang. Profile link: http://www.pme.nthu.edu.tw/files/14-1265-74006,r4027-1.php?Lang=en
4. Dr. Nguyễn Danh Tuyển.

Website của Khoa Cơ khí: http://nthu-en.web.nthu.edu.tw/files/40-1902-4798.php
Website của Viện iNEMS: http://nems.web.nthu.edu.tw/files/11-1156-85.php?Lang=en

Trân trọng.

P/s: Để cho buổi Seminar được thành công, rất mong các bạn đăng ký vào form dưới đây giúp Ban tổ chức (BTC). Qua thông tin đăng ký, BTC biết được số lượng cụ thể khách tham dự để in ấn tài liệu, cũng như tiện thông tin chương trình học bổng của nhà trường qua email cho các bạn trong tương lai.

FORM ĐĂNG KÝ THAM DỰ: https://docs.google.com/forms/d/e/1FAIpQLScObHIFLSZ7liPKxtLW1zKx7FLrjA-1Cz9KWrOp-3d0pageRw/viewform