Skip to content
Bạn đang ở: Trang chủ Tin tức Tin tức Đào tạo
Tin Đào tạo
6 suất học bổng dành cho học viên Cao học ITIMS - 2011 In Email
Viết bởi Admin   
Thứ ba, 08 Tháng 3 2011 09:31

6 suất học bổng dành cho học viên Cao học ITIMS - 2011


Bên cạnh các suất học bổng của Đại học Tổng hợp Amsterdam - Hà Lan, các nhóm nghiên cứu mạnh tại viện ITIMS sẽ trao 6 suất học bổng cho các học viên Cao học ITIMS khóa 2011.

 Viện ITIMS

Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 09 Tháng 3 2011 14:06 )

 
Thông báo tuyển sinh cao học viện ITIMS khoá 19 năm học 2011 In Email
Viết bởi Admin   
Thứ ba, 01 Tháng 3 2011 16:29

Bạn là các kỹ sư, cử nhân Vật lý, Hoá học, Khoa học và Công nghệ vật liệu, Điện, Điện tử, Cơ điện tử, bạn muốn tiếp tục nâng cao kiến thức để khẳng định và phát triển nghề nghiệp của mình trong công việc. Bạn hãy sớm đăng ký và tham chương trình Cao học 2011 của Viện ITIMS, ĐHBK HN, thời gian đăng ký: từ 28/02/2011 đến ngày 15/3/2011

Viện ITIMS mang đến cho bạn chương trình Cao học 2011 đào tạo theo học chế tín chỉ sẽ được cấp bằng Thạc sĩ khoa học hoặc Thạc sĩ kỹ thuật. Đến với ITIMS, các bạn sẽ được sử dụng các phương tiện tốt nhất phục vụ học tập và nghiên cứu khoa học, được hỗ trợ kinh phí cho nghiên cứu khoa học và thực hiện luận văn, tham gia các hội nghị và hội thảo khoa học trong nước và quốc tế, cơ hội nhận học bổng của Viện ITIMS và trường Đại học Amsterdam (Hà Lan) và cơ hội được tuyển chọn để đi học tập NCS ở các nước có nền khoa học công nghệ tiên tiến hàng đầu như: Hà Lan, Đức, Nhật, Hàn Quốc… sau khi tốt nghiệp...

Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 02 Tháng 3 2011 13:31 )
Đọc thêm...

 
Danh sách đề tài luận văn thạc sĩ khóa B2010 In Email
Viết bởi Admin   
Thứ sáu, 10 Tháng 12 2010 13:51

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU (ITIMS)

DANH SÁCH ĐỀ TÀI LUẬN VĂN THẠC SĨ KHÓA B2010

Chuyên ngành: KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU (VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ)

Dự kiến cho lớp: VLĐT B2010

TT

GV hướng dẫn


Đơn vị
(BM,khoa,..)

Tên đề tài
(định hướng)

Mục tiêu chính
của đề tài

Nội dung đề tài
cần giải quyết

Ghi chú

(1)

(2)


(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

  1.  

HDC: TS. Nguyễn Phúc Dương

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0915527063

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Chế tạo và nghiên cứu tính chất từ của vật liệu Sr pherit pha tạp La và Mg có kích thước nanomet

Tổng hợp được các hạt pherit Sr pha tạp với cáca nồng độ La & Mg khác nhau, có kích thước nanomet

- Nghiên cứu các điều kiện công nghệ chế tạo mẫu

- Tiến hành các phép đo cấu trúc tinh thể và vi cấu trúc

- Tiến hành các phép đo từ

- Thảo luận, phân tích và giải thích các kết quả thu được


  1.  

HDC: TS. Nguyễn Văn Hiếu

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0912786572

NR : 36622283

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Nghiên cứu chế tạo cảm biến theo nguyên lý hiệu ứng trường trên cơ sở vật liệu graphene

Thiết kế, chế tạo được cảm biến trên cơ sở hiệu ứng trường sử dụng vật liệu graphene và tìm hiểu khã năng nhạy khí, tác nhân sinh học của loại cảm biến này

- Nghiên cứu các cấu hính khác nhau của linh kiện hiệu ứng trường (FET) và lựa chọn cấu trúc phù hợp để chế tạo linh kiện FET sử dụng vật liệu graphene.

- Thiết kế chế tạo mặt nạ kim loại dùng để chế tạo linh kiện graphene FET.

- Khảo sát các tính chất điện của loại linh kiện này.

- Nghiên cứu khã năng nhạy với các tác nhân sinh học và hóa học của loại linh kiện này.


  1.  

HDC: TS. Nguyễn Văn Hiếu

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0912786572

NR : 36622283

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Biến tính dây nano với các vật liệu xúc tác thích hợp nhằm ứng dụng cho cảm biến khí CO và NO2

Lựa chọn được vật liệu thích hợp cho dây nano nhằm ứng dụng cho cảm biến khí CO và NO2

- Tìm hiểu các loại vật liệu dây CO và NO2.

- Lựa chọn một số vật liệu xúc tác phù hợp để tiến hành nghiên cứu.

- Khảo sát chi tiết 2 loại vật liệu cho độ nhạy và độ chọn lọc tốt với 2 loại khí CO và NO2

- Tiến hành nghiên cứu tối ưu một số tham số công nghệ như nồng độ dung dịch biến tính, nhiệt độ xử lý, nhiệt độ làm việc của cảm biến

- Nghiên cứu cơ chế nhạy khí của vật liệu xúc tác


  1.  

HDC: PGS.TS. Vũ Ngọc Hùng

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0915396901

NR : 37871426

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Nghiên cứu chế tạo cảm biến quán tính sử dụng cấu trúc răng lược trên cơ sở công nghệ MEMS

Đưa ra thiết kế và xây dựng qui trình công nghệ chết tạo cảm biến quán tính MEMS để đo vận tốc góc và gia tốc

- Thiết kế mô phỏng cảm biến sử dụng phần mềm ANSYS

- Thiết kế bộ mặt nạ

- Xây dựng qui trình công nghệ chế tạo

- Triển khai chế tạo cảm biến

- Đo đạc khảo sát đặc trưng của cảm biến


  1.  

HDC: TS. Trần Ngọc Khiêm

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0915330814

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Nghiên cứu chế tạo vật liệu nano-composite pha tạp Eu3+ ứng dụng trong việc chế tạo linh kiện điện huỳnh quang

- Chế tạo thành công vật liệu nano-composite trên cơ sở vật liệu SiO2-SnO2 pha tạp Eu3+ có chất lượng quang học tốt

- Chế tạo một loại linh kiện điện huỳnh quang trên cơ sở vật liệu đã tổng hợp được

- Chế tạo vật liệu nano-composite SiO2-SnO2 pha tạp Eu3+ bằng phương pháp sol-gel và nhiệt thủy phân

- Nghiên cứu cấu trúc của vật liệu bằng giản đồ nhiễu xạ tia X và kính hiển vi điện tử truyền qua TEM và phổ Raman

- Nghiên cứu tính chất quang của vật liệu bằng phổ huỳnh quang và kích thích huỳnh quang

- Chế tạo linh kiện khuyếch đại và dẫn song phẳng trên cơ sở vật liệu đã tổng hợp được


  1.  

HDC: TS. Nguyễn Khắc Mẫn

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0916 349124

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Nghiên cứu ảnh hưởng tạp từ Nd lên mật độ dòng tới hạn biên hạt của vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao nền Bismuth

Nghiên cứu quy luật phụ thuộc của mật độ dòng tới hạn biên hạt vào nồng độ Nd thay thế cho Ca trong siêu dẫn nền Bismuth

Chế tạo các mẫu siêu dẫn nền Bismuth (BSCCO) pha tạp Nd ở các nồng độ khác nhau, khảo sát các tính chất vật lý và mật độ dòng tới hạn biên hạt. Kết quả lựa chọn chế độ công nghệ thích hợp chế tạo mẫu siêu dẫn với khả năng tải dòng điện cao


  1.  

HDC: TS. Vũ Văn Quang

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0979692244

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Tổng hợp graphene diện tích lớn bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) và ứng dụng chế tạo pin mặt trời (Large-scale synthesis of graphene by chemical vapor deposition (CVD) for solar cell applications).

Chế tạo thành công graphene có diện tích lớn (50 x 50 mm2) và pin mặt trời trên cơ sở chuyển tiếp Schottky

- Khảo sát sự ảnh hưởng của nhiệt độ, áp suất, tỉ lệ khí trộn nhằm tối ưu hóa quá trình tổng hợp graphene.

- Đo đạc cấu trúc và các tính chất quang, điện của graphene.

- Thiết kế chế tạo cấu trúc pin mặt trời trên cơ sở cấu trúc Schottky của p/n type Si/Graphene


  1.  

HDC: TS. Nguyễn Văn Quy

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 01256320339

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Cảm biến khí kiểu thay đổi khối lượng dựa trên vật liệu graphene

- Chế tạo ra vật liệu graphene trên đế Cu bằng phương pháp CVD (lắng đọng hoá học ở thể hơi).

- Chuyển đổi màng graphene từ đế Cu sang điện cực vàng của QCM (Vi cân thạch anh) để tạo ra cảm biến kiểu thay đổi khối lượng.

- Tối ưu hoá các thông số kỹ thuật trong phương pháp CVD để tạo ra màng graphene trên đế Cu tinh khiết.

- Chế tạo cảm biến khí kiểu thay đổi khối lượng bằng kỹ thuật chuyển đổi màng graphene trên đế Cu sang điện cực vàng của QCM.

- Đo đạc đặc nhạy khí của cảm biến chế tạo ra.


  1.  

HDC: TS. Mai Anh Tuấn

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0912257173

CQ : 38680787


Viện ITIMS

Nghiên cứu chế tạo màng mô-lip-đen ứng dụng làm điện cực dẫn điện trong pin mặt trời

Màng Mo nhận được bằng phương pháp phún xạ, bám dính tốt trên các đế silicon và thủy tinh

- Tối ưu hóa tốc độ tạo màng, áp suất (chân không), nhiệt độ đế (nếu có)

- Tạo các màng Mo có bề dầy 100-200 nm có điện trở suất gần với điện trở suất của vật liệu khối

- Xác định bề dầy màng bằng các phương pháp khác nhau (AFM, Alpha Step…)

- Thử nghiệm trên Pin mặt trời màng mỏng


  1.  

HDC : TS. Phương Đình Tâm

DĐ : 0906158386

HDP: TS. Mai Anh Tuấn

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0912257173

CQ : 38680787


Viện HAST

Viện ITIMS

Nghiên cứu chức năng hóa grapheme nhằm ứng dụng cho cảm biến sinh học

Chức năng hoá được đoạn ADN lên bề mặt grapheme

- Sử dụng vật liệu được chức năng trên bề mặt cảm biến để xác định virút gây bệnh

- Nghiên cứu chức năng hoá graphene dựa vào các phương pháp hoá học, điện hoá…;

- Nghiên cứu các thông số ảnh hưởng đến quá trình chức năng hoá như thành phần dung dịch đệm, độ pH, nhiệt độ;

- Nghiên cứu ứng dụng vật liệu graphene đã được chức năng hoá để xác định vi rút gây bệnh


  1.  

HDC: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0904403687

CQ : 04-38680787/210


Viện ITIMS

Sự truyền qua môi trường có cấu trúc dạng hạt sắt từ nano phân tán trong nền phi từ của ánh sáng đơn sắc

Quan sát bằng thực nghiệm và giải thích được cơ chế của sự thay đổi cường độ của ánh sáng đơn sắc khi truyền qua một môi trường có cấu trúc dạng hạt với kích thước, mật độ và tính chất sắt từ khác nhau, dưới tác dụng của từ trường ngoài

Chế tạo bằng kỹ thuật phún xạ các màng mỏng từ có cấu trúc dạng hạt kiểu FM-NM (NM = Cu, Ag, Al2O3) với tỷ lệ thành phần và tính chất sắt từ của các hạt FM khác nhau (Co, Ni, Fe, CoFe, NiFe, …). Khảo sát ảnh hưởng của từ trường ngoài lên sự truyền qua của ánh sáng đơn sắc đối với các loại màng mỏng FM-NM chế tạo được


  1.  

HDC: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.

DĐ: 0904403687

CQ : 04-38680787/210



Nghiên cứu ảnh hưởng của từ trường ngoài lên các đặc trưng phổ trở kháng phức của các màng mỏng MTJ dạng hạt

Thấy được vai trò của kỹ thuật phổ trở kháng phức (CIS) trong nghiên cứu tính chất dẫn điện, đặc biệt là tính chất dẫn điện phụ thuộc spin ở tần số cao, trong các hệ có cấu trúc nano dựa trên các màng mỏng từ dạng hạt (kiểu GMTJ), khi có tác dụng của từ trường ngoài

Chế tạo bằng kỹ thuật phún xạ các màng mỏng từ có cấu trúc dạng hạt FM-I (FM = Co, Ni, Fe, CoFe, NiFe,… I = Al2O3) với tỷ lệ thành phần của các hạt sắt từ khác nhau. Khảo sát và giải thích cơ chế dẫn đến ảnh hưởng của từ trường ngoài lên các đặc trưng của phổ trở kháng phức


Hà Nội, ngày 10 tháng 11 năm  2010

TRƯỞNG KHOA/VIỆN

Lưu ý: - Thứ tự đề tài xếp theo vần a,b,c tên của người hướng dẫn chính.

 

Lần cập nhật cuối ( Thứ năm, 01 Tháng 12 2011 13:36 )

 
Tuyển sinh cao học chương trình đào tạo thạc sỹ kết hợp ITIMS - Amsterdam In Email
Viết bởi Admin   
Thứ bảy, 06 Tháng 11 2010 16:53

 TUYỂN SINH CAO HỌC CHƯƠNG TRÌNH ĐÀO TẠO THẠC SĨ
KẾT HỢP VIỆN ITIMS (ĐHBK HN) – ĐHTH AMSTERDAM  (HÀ LAN)

Trong khuôn khổ hợp tác với Trường ĐHTH Amsterdam (Hà Lan), Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường ĐHBK HN tuyển sinh cao học khóa 2009 – 2010, chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu.

Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 22 Tháng 2 2017 11:23 )
Đọc thêm...

 
Thông báo seminar: Tuyển học viên cao học, nghiên cứu sinh làm việc tại Hàn Quốc In Email
Viết bởi Admin   
Thứ năm, 04 Tháng 3 2010 14:26
THÔNG BÁO SEMINAR
TUYỂN HỌC VIÊN CAO HỌC, NGHIÊN CỨU SINH LÀM VIỆC TẠI HÀN QUỐC

Ngày 13/3/2010 Giáo sư Young Hee Lee, Hàn Quốc sẽ có buổi làm việc trực tiếp với Viện ITIMS và các học viên cao học của viện tại Hội trường viện ITIMS. Chương trình cụ thể như sau:

Lần cập nhật cuối ( Thứ năm, 04 Tháng 3 2010 14:37 )
Đọc thêm...

 
Thông báo tuyển sinh cao học viện ITIMS khoá 18 năm học 2010 In Email
Viết bởi Admin   
Thứ ba, 12 Tháng 1 2010 14:26

THÔNG BÁO TUYỂN SINH CAO HỌC CỦA VIỆN ITIMS

Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội thông báo tuyển sinh cao học khoá 18 năm học 2010 chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu điện tử (đào tạo Thạc sĩ khoa học, Thạc sĩ kỹ thuật)

Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 20 Tháng 1 2010 08:57 )
Đọc thêm...

 
<< Bắt đầu < Lùi 1 2 3 4 Tiếp theo > Cuối >>

Trang 3 của 4

Trường ĐHBKHN

MEMS Group

Thống kê truy cập

mod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_counter
mod_vvisit_counterHôm nay1427
mod_vvisit_counterHôm qua1686
mod_vvisit_counterTuần này6200
mod_vvisit_counterTháng này26227
mod_vvisit_counterTất cả2318279
Hiện có 87 khách Trực tuyến

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN


Hội cựu học viên

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?
 
Bảng quảng cáo