HỘI NGHỊ VẬT LÝ CHẤT RẮN VÀ KHOA HỌC VẬT LIỆU TOÀN QUỐC LẦN THỨ 9

Thành phố Hồ Chí Minh, ngày 8-10 tháng 11 năm 2015

Website: http://spms2015.vmrs.org.vn

Kính gửi: Các nhà khoa học, các tổ chức, cá nhân tham gia Hội nghị

Ban tổ chức Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc lần thứ 9 (gọi tắt là SPMS2015) xin trân trọng thông báo tới các Quý vị một số thông tin cụ thể liên quan đến Hội nghị như sau:

Nhân dịp kỷ niệm 40 năm giải phóng Miền Nam, Hội Vật lý Việt Nam, Hội Khoa học Vật liệu Việt Nam và Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh đồng phối hợp tổ chức Hội nghị toàn quốc về Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu lần thứ 9 (SPMS2015) vào các ngày 8-10 tháng 11 năm 2015 tại Thành phố Hồ Chí Minh.

Siêu dẫn là gì ?

Tác giả: Thân Đức Hiền (Viện ITIMS)                                           

Lời nói đầu

Chất siêu dẫn đầu tiên được phát hiện cách đây hơn 100 năm. Kể từ đó, nhiều loại vật liệu siêu dẫn đã được tìm ra. Gần 50 năm sau khi phát hiện, các nhà khoa học đã giải thích hiện tượng kỳ thú này bằng lý thuyết vi mô. Vật liệu siêu dẫn đã và đang có nhiều ứng dụng quan trọng trong công nghiệp và đời sống.

Vật liệu siêu dẫn đóng vai trò không thể thiếu được đối với việc thiết kế, chế tạo  và đưa vào  hoạt động thiết bị gia tốc đối chùm hadron khổng lồ (LHC). Nhân dịp hạt Higgs mới được phát hiện trên thiết bị LHC, chúng tôi xin giới thiệu một cách đại cương về hiện tượng và vật liệu siêu dẫn để bạn đọc tham khảo.

Nội dung

 1. Các vật liệu siêu dẫn.

2. Các tính chất cơ bản của vật liệu siêu dẫn.

3. Lý thuyết lượng tử (BCS) giải thích hiện tượng siêu dẫn.

4. Các chất siêu dẫn loại II.

5. Ứng dụng vật liệu siêu dẫn trong máy gia tốc đối chùm hadron khổng lồ (LHC).

   Tài liệu tham khảo.

sieu-dan-la-gi by ITIMS

Buổi nói chuyện của GS Sheldon Lee Glashow

15h00 ngày 23/08/2013, GS Sheldon Lee Glashow - Nhà Vật lý đoạt giải Nobel năm 1979 - sẽ có buổi nói chuyện với cán bộ và sinh viên ĐHBKHN tại Hội trường tầng 10, Toà nhà Thư viện Tạ Quang Bửu với nội dung “Tầm quan trọng của khoa học cơ bản trong phát triển công nghệ”.

Bài báo mới của PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu được đăng trên tạp chí Applied Physics Letters

Nguyen Van Hieu*, Phung Thi Hong Van, Le Tien Nhan, Nguyen Van Duy, Nguyen Duc Hoa, “Giant enhancement of H₂S gas response by decorating n-type SnO₂ nanowires with p-type NiO nanoparticles”, Applied Physics Letters,101 (2012) 253106

Abstract:Metal oxide nanowires (NWs) are widely considered as promising materials for gas sensor applications. Here, we demonstrate that by decorating NiO nanoparticles on SnO₂ NWs, the gas response to 10 ppm H₂S increased up to ~351-fold. The response of the NiO-decorated SnO₂ NWs sensor to 10 ppm H₂S at 300 °C reached ~1372, whereas the cross-gas responses to 5 ppm NH₃, 200 ppm C₂H₅OH, and 1 ppm NO₂ were negligible (1.8 to 2.9). The enhanced H₂S sensing performance was attributed by the catalytic effect of NiO and the formation of a continuous chain of n-p-n-p junctions.

On the occasion of the 20th Anniversary of The International Training Institute for Materials Science - ITIMS (1992 - 2012), of Hanoi University of Science and Technology (HUST), ITIMS will hold an International Conference on Advanced Materials and Nanotechnologies in Hanoi (ICAMN) from 13-th to 14-th of December, 2012. The Conference will provide a forum for scientists worldwide to exchange their research progress in the various exciting areas of advanced materials including synthesis and characterizations of advanced bulk and nano-scale dimensional materials, as well as on the nanotechnologies and applications. The Conference also aims to provide a possibility for exchange of experiences of international collaboration in these fields. Authors are invited to submit their abstracts/papers in the fields of nanomaterials, nanotechnology and applications.

Click here more detail...
 

Minh D. Nguyen, MatthijnDekkers, Evert Houwman, Ruud Steenwelle, Xin Wan,Andreas Roelofs, Thorsten Schmitz-Kempen, and GuusRijnders, “Misfit strain dependence of ferroelectric and piezoelectric propertiesof clamped (001) epitaxial Pb(Zr_0.52,Ti_0.48)O₃ thin films”,  Applied Physics Letters  99 (2011) 252904-3.