Skip to content
Ngô Ngọc Hà In Email
Viết bởi Admin   
Thứ ba, 02 Tháng 10 2012 13:23

Ngô Ngọc HàHọ và tên: Ngô Ngọc Hà
Học hàm, học vị: Tiến sĩ
Ngày tháng năm sinh: 1979
Vị trí công tác: Giảng viên
Địa chỉ làm việc: P407, Tòa nhà ITIMS, C10, ĐHBKHN
Email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó.
Điện thoại: 38680787
Fax: 84-4-8692963


1. Các môn học đảm nhiệm:

- Không có

2. Lĩnh vực hoạt động khoa học:

  • Nghiên cứu chế tạo các loại vật liệu mới cho các ứng dụng quang tử silic.
  • Nghiên cứu và khảo sát sự kích thích quang điện và qúa trình hồi phục của các hạt tải điện, các hiệu ứng lượng tử trong các vật liệu cấu trúc thấp chiều.

3. Thành tích, giải thưởng:

- Không có

4. Quá trình đào tạo:

Bằng cấp

Năm tốt nghiệp

Lĩnh vực/Trường

Tiến Sĩ

 

 

Thạc Sĩ



Kỹ sư/cử nhân



 

5. Tóm tắt quá trình công tác:

- 1997-2001: sinh viên ĐH Khoa học tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- 2001-2003: học viên cao học ITIMS khóa 9, Đại học Bách khoa Hà Nội
-  2006-2012: Nghiên cứu sinh ĐH Amsterdam, Hà Lan
- Từ 9/2012 đến nay: cán bộ giảng dạy trường ĐHBKHN.   

6. Công trình NCKH điển hình:

- Không có

7. Các giáo trình đã biên soạn:

- Không có

8. Một số bài báo điển hình:

Các bài báo, báo cáo khoa học công bố:

1. N. N. Ha*, S. Cueff, K. Dohnalová, M. T. Trinh, C. Labbé, R. Rizk, I.N. Yassievich, T. Gregorkiewicz, “Optical excitation of Er3+ ions inside a SiO2 matrix mediated by Si nanocrystals”, Phys. Rev. B 84, 241308(Rapid comunication) (2011).

2. N. N. Ha*, K. Dohnalová, and T. Gregorkiewicz, “Evaluation of free carrier losses to 1.54 μm emission in Si/Si:Er nanolayers on SOI substrate for optical gain observation”,Optical Materials  33 (7), 1094-1096 (2011).

3. N. N. Ha*, K. Dohnalová, T. Gregorkiewicz, and J. Valenta, “Upper limit of optical gain in MBE-grown Si:Er, Physical Review B 81, 195206:1-6, 239902:1 (2010).

4. N. N. Ha*, Z.F. Krasil’nik, and T. Gregorkiewicz, Optical properties of Si/Si:Er multi-nanolayer structures grown by SMBE method, Physica B: Condensed Matter23-24, 5131-5136 (2009).

5. N. Q. Vinh, N. N. Ha, and T. Gregorkiewicz, “Photonic properties of Er-doped crystalline silicon”, Review paper, Proceedings of the IEEE, 97, Special Issue (7): “Silicon Photonics”, 1269-1283 (2009).

6. K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi, H.N. Ngo, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara

“Metalorganic chemical vapor deposition of Er-doped ZnO thin films with 1.54 μm photoluminescence, J. Phys: Conference Series 165, 012027 (2009).

7. Báo cáo tại các hội nghị quốc tế:

Báo cáo nói:

1. “On the way towards optical amplifiers with MBE-grown Si/Si:Er multinanolayer structures”, Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, San Francisco, USA, April 2011.

2. “On the way towards optical amplifiers with MBE-grown Si/Si:Er multinanolayer structures”, The 5th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN), Hanoi, Vietnam, November 2010.

3. “Interplay of optical gain and induced absorption at Er3+ emission in Si/Si:Er nanolayers”, European Materials Research Society (E-MRS) Spring meeting, Strasbourg, France, June 2010.

4. “Non-linear optical properties of Si/Si:Er multi-nanolayer structures”, 3rd Workshop on “Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials – IBEDM-2009”, Tossa de Mar, Spain, October 2009.

5. “Photoluminescence from Ge dots in Si grown by MBE method”, SIBET meeting, Manchester, United Kingdom, April 2009.

6. “Investigations of optical gain in Si/Si:Er nanolayers on SOI substrate by variable stripe length/shifting spot method”, European Materials Research Society (E-MRS) Spring 2008 Meeting, Strasbourg, France, May 2008.

7. “Optical properties of Si/Si:Er nanolayers grown by MBE on semi-insulating (SOI) substrates”, European Materials Research Society (E-MRS) Spring 2007 Meeting, Strasbourg, France, May 2007.

Báo cáo treo:

1. “Investigations of optical gain of Eu3+ emission in MOCVD-grown GaN”, MRS Fall 2011Meeting, San Francisco, USA, April 2011.

2. “Investigations of optical gain of Eu3+ emission in MOCVD-grown GaN”, “Physics@FOM”, Veldhoven 2011, The Netherlands, January 2010.

3. “Non-linear optical properties of Si/Si:Er multi­nano­layer structures”, “Physics@FOM”, Veldhoven 2010, The Netherlands, January 2010.

4. “Photoluminescence of Ge/Si multiple layers grown by MBE method, MRS Fall 2009 Meeting, Boston, USA, December 2009.

5. “On emission of Er3+ ions in ZnO layers grown by MOCVD”, “Physics@FOM”, Veldhoven, The Netherlands, January 2009.

6. "Search for the optical gain in silicon”, “Physics@FOM”, Veldhoven, The Netherlands, January 2008.

7.  “Optical properties of Er-doped Si nanolayers grown by MBE on SOI substrates”, “Physics@Veldhoven”, Veldhoven, The Netherlands, January 2007.

9. Học viên cao học đang hướng dẫn:

- Không có

10. Nghiên cứu sinh đang hướng dẫn:

- Không có

 

Lần cập nhật cuối ( Thứ hai, 22 Tháng 8 2016 10:23 )
 

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?