- Phòng vi chế tạo (Clean-Room) (01)
- Hệ bay hơi nhiệt để chế tạo dây nanô (02)
- Hệ đo cảm biến khí NH3, NO2, CO, CO2, LPG, C2H5OH, H2 (02)
- Hệ đo cảm biến áp suất (01)
- Hệ đo cảm biến gia tốc (01)
- Hệ run siêu âm đầu dò công suất lớn (01)
- Lò nung nhiệt (05)
- Hệ phun phủ (01)
- Hệ cắt phiến (02)
- Hệ Sol-gel (02)
HTML clipboard
Sputter system
Mô tả thiết bị:
-
Chế tạo màng mỏng đơn và
nhiều lớp. Máy phún xạ cathod
trong phòng sạch có thể tạo các màng mỏng từ các vật liệu nguồn bất kỳ. Đèn
thạch anh đảm bảo trước quá trình phún xạ tạo màng các phần tử nước bị đuổi
hết ra khỏi bề mặt mẫu.
-
Hãng sản xuất: ĐHTH Twente, Hà lan.
-
Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 1999
Thông số kỹ thuật:
-
Chân không tối đa: 1. 10-7 Torr, bơm
turbo.
-
2 bia, 1 đế quay, 1 nguồn cao tần công suất
500W, 1 nguồn DC công suất 750W
-
Có load-lock, đèn thạch anh đốt đế (nhiệt độ tối
đa 450 độ C).
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Máy phún xạ cathod, Sputter system |
 |
Oxygen Plasma
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
- Chân không tối đa: 1. 10-3 Torr.
- 2 buồng, 1 nguồn cao tần công suất 500W
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Hệ ăn mòn khô, OXYGEN PLASMA |
 |
RIE system
Mô tả thiết bị:
-
Ăn mòn sâu Si, đường kính phiến 100 mm
-
Hãng sản xuất: SAMCO, JAPAN.
-
Năm sản xuất: 2007. Năm lắp đặt và sử dụng:
2008
Thông số
kỹ thuật:
-
Chân
không tối đa: 3. 10-7 Torr. 1 buồng
-
Công
suất nguồn Plasma 500W, 13,65 MHz
-
Công
suất ICP plasma 1000 W
-
Nhiệt
độ đế:-150 đến 200 oC
-
Khí:
SF6, C4H8, O2, Ar và N2
Cán bộ phụ trách:
PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng
Từ khóa: Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao, RIE-SYSTEM |
 |
Oxidation Furnace
Mô tả thiết bị:
-
Tạo các lớp ôxít silic chất lượng cao trong môi trường ôxi khô.
-
Ký mã hiệu: Tempress 261.
-
Hãng sản xuất: Tempress system. Nước sản xuất: Hà lan
Thông số kỹ thuật:
-
Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C
-
Trong môi trường khí N2, O2
-
Lập trình, điềukhiển từ 40-12000C
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Lò ôxi hoá số, Tempress Furnace, Oxidation Furnace Tempress 261, 1200°C, N2, O2
|
 |
3 stack Furnace
Mô tả thiết bị:
-
Khuếch tán tạp chất ở nhiệt độ cao trong các chất bán dẫn.
-
Oxi hoá ở nhiệt độ cao ở cả môi trường ôxy khô và ôxy ẩm
-
Hãng sản xuất: ĐHTH Delft, Hà lan
Thông số
kỹ thuật:
- Nhiệt độ tối đa: 1200°C, ±5°C
- Trong môi trường khí N2, O2, hơi H2O
- Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Lò ôxy hóa 3 ống, 3 stack Furnace
|
 |
LPCVD system
Mô tả thiết bị:
-
Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon. Tạo các màng mỏng đa tinh thể và vô định hình của Silic và oxít silic, silic nitrit.
-
Hãng sản xuất: Tempress. Nước sản xuất: Hà lan
-
Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 1999 Thông số kỹ thuật:
Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C,
Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: LPCVD System, Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon |
 |
4 - point probe Unit
Mô tả thiết bị:
Đo kiểm tra điện trở màng mỏng, xác định điện trở bề mặt của các phiến Silicon
theo phương pháp bốn mũi dò.
Qua
sự so sánh điện trở đo được cho phép kết
luận có/hay không sự khuếch tán của hạt tải (p hoặc
n) vào trong phiến hay không người ta sử dụng thiết bị dùng để đo điện
trử bề
mặt của phiến silic trước và sau quá trình khuếch tán. Nếu điện trở đo
được sau
khuếch tán nhỏ hơn điện trở của phiến silic trước quá trình này thì có
thể kết
luận có sự khuếch tán, các hạt tải đã khuếch tán vào đế silic. Thông
thường quá
trình khuếch tán này tạo nên các lớp chuyển tiếp P-N trong đế silic.
Hãng sản xuất: ĐH Twente, Hà Lan.
Thông số kỹ thuật:
Đo điện trở từ 1 mOhm
Người phụ trách: KTV. Nguyễn Văn Toán Từ khóa: Hệ đo điện trở bề mặt, phương pháp bốn mũi dò, surface resistance, 4-point- probe Unit.
|
 |
Ellipsometery Unit
Mô tả thiết bị:
-
Đo độ dày, chiết suất và một số
các thông số khác của màng mỏng trong suốt như SiO, SiO2... và một số
màng kim loại mỏng.
-
Ký mã hiệu: ATKI.
Hãng SX: MTA-KFKI, Hungary
-
Đo kiểm tra chiều dày màng mỏng SiO2,
Si3N4…
Hãng sản xuất: MTA-KFKI, Hungary
Năm sản xuất: 1994, lắp đặt và sử dụng: 1995
Thông số
kỹ thuật:
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Máy đo độ dầy màng mỏng, ellipsometer |
 |
Balance Unit
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
- Cân từ 0 - 160g
- Sai số: ±0.02 mg
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Cân phân tích, Balance Unit |
 |
Alpha - Step Unit
Mô tả thiết bị:
- Đo bề dầy màng mỏng trên các vật liệu
khác nhau
- Hãng sản xuất: KLA Tencor - Mỹ
- Năm sản xuất 1994
Thông số kỹ thuật:
- Phương pháp đo: quét hai chiều
- Chế độ lấy bậc: tự động hoặc bằng tay
- Kích thước mẫu : 1 cm2 đến 10 cm2
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Hệ đo độ dày màng mỏng, Alpha - Step Unit, KLA Tencor
|
 |
Hot plate Unit
Mô tả thiết bị:
-
Ủ nhanh các loại vật liệu màng mỏng,
Photoresist…
- Hãng sản xuất: PMC - Mỹ
- Năm sản xuất 1994
Thông số
kỹ thuật:
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Lò nung, Hot plate Unit |
 |
Spinner Unit
Mô tả thiết bị:
- Quay phủ photoresist
- Đế quay phủ lên tới 100 mm
- Hãng sản xuất: TANAKA
- JAPAN
Thông số
kỹ thuật:
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Hệ quay phủ, Spinner Unit |
 |
Align System
Mô tả thiết bị:
-
Tạo hình dạng cấu trúc màng mỏng kích cỡ
Micro cho các lớp của linh kiện vi điện tử.
-
Là
thiết bị được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ
trong Phòng Sạch.
- Đèn UV 200W
- Chế độ quang khắc: Hard/soft, contact
-
Hãng sản xuất: Carl
Suss – GERMANY
Thông số kỹ thuật:
Cán bộ phụ trách:
TS. Nguyễn Văn Toán Từ khóa: Hệ quang khắc, Máy quang khắc một mặt, photolithographer, Align System
|
 |
Double Side Align System PEM-800
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
-
Đường kính đế: 5 mm to 100 mm.
- Điều khiển bán tự động
- Lập trình thay đổi thời
gian chiếu sáng…
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Máy Quang khắc 2 mặt, Double Side Align System PEM-800 |
 |
Microscope Unit
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Kính hiển vi quang học, Microscope Unit |
 |
Ultrasonic Bath
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
-
Kích thước bể rửa: 15 x 30 cm
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Máy rung siêu âm, Ultrasonic Bath |
 |
Wet bench System
Mô tả thiết bị:
Thông số
kỹ thuật:
-
4 ngăn đựng hóa chất
- Một bể rửa nước DI water
- Một vòi xịt nước DI water
- Một bếp đun hóa chất
Cán bộ phụ trách:
KTV. Nguyễn Văn Toán
Từ khóa: Tủ hóa |
 |
DI water System
Mô tả thiết bị:
Thông số kỹ thuật:
-
Công suất 40 l/giờ
-
Độ sạch: 18 MW.cm
Cán bộ phụ trách:
Từ khóa: DI water System, hệ nước siêu tinh khiết |
 |
|