Skip to content
cơ sở vật chất In Email
Viết bởi Long VIC   
Thứ tư, 16 Tháng 11 2016 13:59
  • Phòng vi chế tạo (Clean-Room) (01)

  • Hệ bay hơi nhiệt để chế tạo dây nanô (02)

  • Hệ đo cảm biến khí NH3, NO2, CO, CO2, LPG, C2H5OH, H2 (02)

  • Hệ đo cảm biến áp suất (01)

  • Hệ đo cảm biến gia tốc (01)

  • Hệ run siêu âm đầu dò công suất lớn (01)

  • Lò nung nhiệt (05)

  • Hệ phun phủ (01)

  • Hệ cắt phiến (02)

  • Hệ Sol-gel (02)
HTML clipboard

Sputter system

Mô tả thiết bị:

  • Chế tạo màng mỏng đơn và nhiều lớp. Máy phún xạ cathod trong phòng sạch có thể tạo các màng mỏng từ các vật liệu nguồn bất kỳ. Đèn thạch anh đảm bảo trước quá trình phún xạ tạo màng các phần tử nước bị đuổi hết ra khỏi bề mặt mẫu.

  • Hãng sản xuất: ĐHTH Twente, Hà lan.

  • Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 1999

Thông số kỹ thuật:

  • Chân không tối đa: 1. 10-7 Torr, bơm turbo.

  • 2 bia, 1 đế quay, 1 nguồn cao tần công suất 500W, 1 nguồn DC công suất 750W

  • Có load-lock, đèn thạch anh đốt đế (nhiệt độ tối đa 450 độ C).

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Máy phún xạ cathod, Sputter system

Oxygen Plasma

Mô tả thiết bị:
  • Ăn mòn SiO2, Si3N4…

  • Hãng sản xuất: ĐH Twente, Hà lan. 

  • Năm sản xuất: 1998. Lắp đặt và sử dụng: 2005

Thông số kỹ thuật:

  • Chân không tối đa: 1. 10-3 Torr.

  • 2 buồng, 1 nguồn cao tần công suất 500W

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Hệ ăn mòn khô, OXYGEN PLASMA

RIE system

Mô tả thiết bị:
  • Ăn mòn sâu Si, đường kính phiến 100 mm

  • Hãng sản xuất: SAMCO, JAPAN.

  • Năm sản xuất: 2007. Năm lắp đặt và sử dụng: 2008

Thông số kỹ thuật:

  • Chân không tối đa: 3. 10-7 Torr. 1 buồng

  • Công suất nguồn Plasma 500W, 13,65 MHz

  • Công suất ICP plasma 1000 W

  • Nhiệt độ đế:-150 đến 200 oC

  • Khí: SF6, C4H8, O2, Ar và N2

Cán bộ phụ trách

                PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng

Từ khóa: Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao, RIE-SYSTEM

Oxidation Furnace

Mô tả thiết bị:
  • Tạo các lớp ôxít silic chất lượng cao trong môi trường ôxi khô.

  • Ký mã hiệu: Tempress 261.

  • Hãng sản xuất: Tempress system. Nước sản xuất: Hà lan

Thông số kỹ thuật:

  • Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C

  • Trong môi trường khí N2, O2

  • Lập trình, điềukhiển từ 40-12000C

Cán bộ phụ trách:

  KTV.  Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Lò ôxi hoá số, Tempress Furnace, Oxidation Furnace Tempress 261, 1200°C, N2, O2


 
3 stack Furnace

Mô tả thiết bị:
  • Khuếch tán tạp chất ở nhiệt độ cao trong các chất bán dẫn.

  • Oxi hoá ở nhiệt độ cao ở cả môi trường ôxy khô và ôxy ẩm

  • Hãng sản xuất: ĐHTH Delft, Hà lan

Thông số kỹ thuật:

  • Nhiệt độ tối đa: 1200°C, ±5°C

  • Trong môi trường khí N2, O2,  hơi H2O

  • Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Lò ôxy hóa 3 ống, 3 stack Furnace


 
LPCVD system

Mô tả thiết bị:
  • Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon. Tạo các màng mỏng đa tinh thể và vô định hình của Silic và oxít silic, silic nitrit.

  • Hãng sản xuất: Tempress. Nước sản xuất: Hà lan

  • Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 1999

Thông số kỹ thuật:

Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C,
Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí

Cán bộ phụ trách:

KTV.
Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: LPCVD System, Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon

 
4 - point probe Unit

Mô tả thiết bị:

Đo kiểm tra điện trở màng mỏng, xác định điện trở bề mặt của các phiến Silicon theo phương pháp bốn mũi dò.

Qua sự so sánh điện trở đo được cho phép kết luận có/hay không sự khuếch tán của hạt tải (p hoặc n) vào trong phiến hay không người ta sử dụng thiết bị dùng để đo điện trử bề mặt của phiến silic trước và sau quá trình khuếch tán. Nếu điện trở đo được sau khuếch tán nhỏ hơn điện trở của phiến silic trước quá trình này thì có thể kết luận có sự khuếch tán, các hạt tải đã khuếch tán vào đế silic. Thông thường quá trình khuếch tán này tạo nên các lớp chuyển tiếp P-N trong đế silic. Hãng sản xuất: ĐH Twente, Hà Lan.                                                          

Thông số kỹ thuật:

Đo điện trở từ 1 mOhm

Người phụ trách: KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Hệ đo điện trở bề mặt, phương pháp bốn mũi dò, surface resistance, 4-point- probe Unit.
 
Ellipsometery Unit

Mô tả thiết bị:

  • Đo độ dày, chiết suất và một số các thông số khác của màng mỏng trong suốt như SiO, SiO2... và một số màng kim loại mỏng.

  • Ký mã hiệu: ATKI. Hãng SX: MTA-KFKI, Hungary

  • Đo kiểm tra chiều dày màng mỏng SiO2, Si3N4…  
    Hãng sản xuất: MTA-KFKI, Hungary

    Năm sản xuất: 1994, lắp đặt và sử dụng: 1995

Thông số kỹ thuật:

  • Sử dụng nguồn laser bước sóng laser: 632,8 nm

  • Góc đo từ 0-90°

  • Sai số độ dày đo: 2 nm

  •  Đường kính đế tối đa 150 mm

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Máy đo độ dầy màng mỏng, ellipsometer

Balance Unit

Mô tả thiết bị:
  • Cân kiểm tra trọng lượng mẫu

Thông số kỹ thuật:

  • Cân từ 0 - 160g

  • Sai số: ±0.02 mg

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Cân phân tích, Balance Unit

Alpha - Step Unit

Mô tả thiết bị:

  • Đo bề dầy màng mỏng trên các vật liệu khác nhau

  • Hãng sản xuất: KLA Tencor - Mỹ

  • Năm sản xuất 1994

Thông số kỹ thuật:

  • Phương pháp đo: quét hai chiều

  • Chế độ lấy bậc: tự động hoặc bằng tay

  • Kích thước mẫu : 1 cm2 đến 10 cm2

Cán bộ phụ trách:

     KTV. Nguyễn Văn Toán


Từ khóa: Hệ đo độ dày màng mỏng, Alpha - Step Unit, KLA Tencor


 
Hot plate Unit

Mô tả thiết bị:
  • Ủ nhanh các loại vật liệu màng mỏng, Photoresist…

  • Hãng sản xuất: PMC - Mỹ

  • Năm sản xuất 1994

Thông số kỹ thuật:

  • Nhiệt độ tối đa: 400 0

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Lò nung, Hot plate Unit

Spinner Unit

Mô tả thiết bị:
  • Quay phủ photoresist

  • Đế quay phủ lên tới 100 mm

  • Hãng sản xuất: TANAKA - JAPAN

Thông số kỹ thuật:

  • Tốc độ quay lên đến 9000 vòng/phút

  • Lấp trình tốc độ, thời gian quay.

  • Lập 10 chương trình quay 

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Hệ quay phủ, Spinner Unit

Align System

Mô tả thiết bị:  
  • Tạo hình dạng cấu trúc màng mỏng kích cỡ Micro cho các lớp của linh kiện vi điện tử.

  • Là thiết bị được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ trong Phòng Sạch.

  • Đèn UV 200W

  • Chế độ quang khắc: Hard/soft, contact
  • Hãng sản xuất: Carl Suss – GERMANY

 

Thông số kỹ thuật:

  • Đường kính đế: 5 mm to 75 mm.

  • So mask một mặt.

  • Điều khiển cơ

Cán bộ phụ trách:

TS.
Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Hệ quang khắc, Máy quang khắc một mặt, photolithographer, Align System
 
Double Side Align System PEM-800

Mô tả thiết bị:
  • Tạo hình dạng cấu trúc màng mỏng kích cỡ micro trên cả 2 mặt đế.

  • Công suất nguồn chiếu sángUV 12 mW/cm²

  • Đèn UV 250W

  • Chế độ quang khắc: Hard/soft, contact       

  • Quang khắc mặt sau

  • Hãng sản xuất: UNION – JAPAN. 

Thông số kỹ thuật:

  • Đường kính đế: 5 mm to 100 mm.
  • Điều khiển bán tự động
  • Lập trình thay đổi thời gian chiếu sáng…

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Máy Quang khắc 2 mặt, Double Side Align System PEM-800

Microscope Unit

Mô tả thiết bị:

  • Quan sát kiểm tra vật liệu
  • Hãng sản xuất: NIKON – JAPAN.

Thông số kỹ thuật:

  • Độ phóng đại 100 - 1000 lần

Cán bộ phụ trách:

 KTV.
Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Kính hiển vi quang học, Microscope Unit

Ultrasonic Bath

Mô tả thiết bị:

  • Rửa mẫu bằng sóng siêu âm 

  • Hãng sản xuất: Cole-Parmer – GERMANY

Thông số kỹ thuật:

  • Kích thước bể rửa: 15 x 30 cm

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Máy rung siêu âm, Ultrasonic Bath

Wet bench System

Mô tả thiết bị:
  • Rửa mẫu, pha hóa chất….

  • Là nơi được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ trong Phòng sạch.

Thông số kỹ thuật:

  • 4 ngăn đựng hóa chất

  • Một bể rửa nước DI water

  • Một vòi xịt nước DI water

  • Một bếp đun hóa chất

Cán bộ phụ trách

                KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Tủ hóa

DI water System

Mô tả thiết bị:
  • Tạo ra nước siêu tinh khiết có nồng độ ion cực thấp, và điện trở cực cao, dùng trong công nghệ vi điện tử.

  • Nước siêu sạch tại trung tâm ITIMS còn rất thích hợp cho các trung tâm phân tích công cụ (đặc biệt là các phương pháp cực phổ)

  • Hãng sản xuất: REMCO – USA.

Thông số kỹ thuật:

  •  Công suất 40 l/giờ

  •  Độ sạch:  18 MW.cm

Cán bộ phụ trách:

Từ khóa: DI water System, hệ nước siêu tinh khiết

Lần cập nhật cuối ( Thứ ba, 21 Tháng 2 2017 16:57 )
 

Trường ĐHBKHN

MEMS Group

Thống kê truy cập

mod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_counter
mod_vvisit_counterHôm nay922
mod_vvisit_counterHôm qua3240
mod_vvisit_counterTuần này7764
mod_vvisit_counterTháng này26227
mod_vvisit_counterTất cả2415615
Hiện có 185 khách Trực tuyến

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN


Hội cựu học viên

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?
 
Bảng quảng cáo