Skip to content
Bạn đang ở: Trang chủ
Tin Khoa học


Thông báo liên quan đến việc bài báo “Investigation of Co-Doped ZnO Nanowires by X-ray Absorption Spectroscopy and Ab Initio Simulation” In Email
Viết bởi Admin   
Thứ tư, 30 Tháng 8 2017 09:03

    Thông báo liên quan đến việc bài báo “Investigation of Co-Doped ZnO Nanowires by X-ray Absorption Spectroscopy and Ab Initio Simulation” của tác giả Chu Manh Hung và cộng sự rút khỏi tạp chí Journal of Electronic Materials.

    Chúng tôi rất lấy làm tiếc về việc bài báo trên của nhóm đã phải rút khỏi tạp chí J. Electronic Mater. Lý do bài báo bị rút khỏi tạp trí không liên quan đến chất lượng khoa học của bài báo mà do sự hiểu nhầm và không thống nhất giữa tác giả chính (Chu Manh Hung) và đối tác hợp tác nghiên cứu (GS Carsten Ronning) liên quan đến việc sử dụng một số kết quả thực nghiệm cũ để bổ trợ cho các tính toán mô phỏng mới được trình bày trong bài báo của tạp chí J. Electronic Mater. Tuy nhiên với bất kỳ lý do gì, việc bài báo bị rút khỏi tạp chí là một điều đáng tiếc và tác giả chính xin nhận trách nhiệm về mình. Đây cũng là một bài học sâu sắc cho nhóm tác giả cũng như các đồng nghiệp sau này trong vấn đề hợp tác nghiên cứu.

    Bài báo này được đăng online vào ngày 17/01/2017, ngay khi tác giả chính nhận được phản ánh của đối tác cũ, tác giả chính đã trao đổi trực tiếp với các đồng nghiệp cũ và có yêu cầu với phía tạp chí rút bài báo xuống. Trong ngày 10/2/2017 tác giả nhận được  thư quyết định từ lead editor của special issue (PGS Manh-Huong Phan) và editor-in chief (GS Shadi Shahedipour-Sandvik) như phía dưới, thời gian này trước khi ra số của special issue khoảng 4 tháng.

     


     

    Thư quyết định rút bài báo [6] khỏi tạp chí J. Electronic Mater rõ ràng liên quan đến sự hiểu lầm, thiếu trao đổi và không thống nhất giữa tác giả chính và đồng nghiệp cũ (vì tác giả chính cho rằng đây là bài báo về mô phỏng, chỉ sử dụng một phần kết quả thực nghiệm trước đây để bổ trợ, nên chỉ cảm ơn các đối tác cũ trong phần cảm ơn mà không đưa vào danh sách đồng tác giả). Nội dung này là khác so với lý do rút bài được nhà xuất bản đưa ra ở dưới (tháng 6/2017):

     “The Publisher has retracted this article at the request of the Editor-in-Chief, following an investigation that revealed extensive duplication of previous publications, and premature inclusion of preliminary data supplied by collaborators without prior approval

    Lý do rút bài mà nhà xuất bản đưa ra đúng một phần ở ý thứ hai, còn nội dung thứ nhất không phản ánh đúng thực tế. Nhóm tác giả đang gửi thư tới editor-in chief để làm rõ vấn đề này. Cả hai nội dung này sẽ được bình luận ở phía dưới chi tiết hơn để bạn đọc hiểu được vấn đề.

    Trước khi đi sâu về việc giải trình chi tiết, tác giả chính-người chịu trách nhiệm về nội dung bài báo phải nhắc lại rằng, hướng nghiên cứu của bài báo và kết quả báo cáo là của tác giả chính trước khi về công tác tại ITIMS. Các đồng tác giả của bài báo này [6] chỉ tham gia thảo luận về các kết quả mô phỏng, hoàn toàn không phải là người chịu trách nhiệm về nội dung liên quan đến bài báo. Các kết quả thực nghiệm do tác giả chính thực hiện bên nước ngoài. Các kết quả mô phỏng độc lập được tác giả tiếp tục triển khai và hoàn thiện ở Việt Nam trước khi gửi công bố. 

     

    Về nội dung 1: “The Publisher has retracted this article at the request of the Editor-in-Chief, following an investigation that revealed extensive duplication of previous publications

    Xuất phát từ các kết quả hợp tác nghiên cứu thực nghiệm của nhóm nghiên cứu tại Pháp nơi mà tác giả chính TS Chử Mạnh Hưng làm NCS trong thời gian nghiên cứu ở nước ngoài từ 2011 đến 2014 và đối tác phía Đức (Phía Đức cung cấp mẫu; phía Pháp trong đó TS Hưng đảm nhận các phần đo đạc, xử lý, phân tích số liệu, và cùng nhau viết bài). Các kết quả thực nghiệm dựa trên sự hợp tác đã được hai bên công bố trong các công trình chung [1-5].

    Mặc dù các kết quả thực nghiệm được trình bày, báo cáo, thảo luận chi tiết dựa trên những hiểu biết chuyên môn của nhóm, một số vấn đề tồn tại chưa thể giải quyết trong các công bố trước đây là:

    • Việc mô phỏng/tính toán lý thuyết phổ hấp thụ tia X bờ hấp thụ Zn để chứng minh kết quả thực nghiệm thu được.
    • Sử dụng mô phỏng/tính toán để định lượng số lượng khuyết tật oxy trong dây sau khi cấy là như thế nào

    Trong công trình công bố trên tạp chí JEMS, tác giả đã trình bày rõ trong phần “Introduction” về vấn đề mới cần được giải đáp trong bài báo là liên quan đến phần mô phỏng để giải quyết hai vấn đề trên chứ không báo cáo kết quả mới về thực nghiệm, ví dụ như: “Although previous experimental studies, using x ray absorption spectroscopy,12,13 reported recovery of ion implantation-induced damage in single nanowire structures after thermal annealing, detailed ab initio simulations of the x-ray absorption cross-section around the Zn K edge, to confirm the experimental results, have not been published...”. Chính vì thế trong bài này tác giả và đồng nghiệp đã tìm cách giải quyết vấn đề nêu trên sử dụng phương pháp mô phỏng bằng phần tử hữu hạn “finite-difference method near-edge structure (FDMNES) code in the dipolar approximation within the full multiple-scattering (FMS) approach”

    Đối tượng nghiên cứu là hai loại dây nano bán dẫn ZnO cấy nguyên tố Co được xử lý ở các điều kiện khác nhau:

    1. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ phòng và sau đó được xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao (RT-implanted-PA)
    2. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ cao và sau đó lại được xử lý tiếp ở nhiệt độ cao (RT-implanted-PA). Trong bài [4] được ký hiệu HT-implanted.

    Về việc sử dụng kết quả thực nghiệm của hai loại dây này để được chứng minh bằng mô phỏng là mới và không hề có sự lặp lại với các công trình công bố trước đây. Tác giả sẽ chỉ ra kết quả thực nghiệm nào được sử dụng lại và kết quả nào là mới giữa bài báo đăng trên JEM và một bài đăng từ trước của tác giả [4]. Bài báo trên Phys. Status. Solidi A 211, 483 (2014) là thuần túy về thực nghiệm và đồng thời là báo cáo kết quả thực nghiệm của hai loại dây:

    1. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ phòng và KHÔNG xử lý nhiệt (RT-implanted).
    2. Dây ZnO được cấy Co ở nhiệt độ cao và sau đó lại được xử lý tiếp ở nhiệt độ cao (HT-implanted).

    Rõ ràng, đối tượng nghiên cứu của bài báo [6] là mới và đã được mở rộng. Một số dữ liệu thực nghiệm của loại dây này (HT-implanted) được sử dụng lại để so sánh cũng như là đối tượng cho kết quả mô phỏng [6]. Xuất phát từ suy nghĩ đơn giản là các kết quả thực nghiệm trước đây do mình đo đạc, xử lý và phân tích; đồng thời một số dữ liệu đó đã được công bố cùng với cộng sự rồi [4] trong đó tác giả là tác giả chính và cũng là người chịu trách nhiệm “first and corresponding author” về bài báo đó nên trong bài này [6] với mục đích dùng một số số liệu thực nghiệm cũ - đã xuất bản để minh chứng cho các kết quả mô phỏng mới, tác giả đã không hỏi lại ý kiến cũng như đưa tên của các cộng sự cũ vào bài báo mà chỉ cảm ơn họ ở phía cuối bài. Thêm vào đó, một số dữ liệu đó được sử dụng lại nhưng tác giả không lấy giống hoàn toàn kết quả trong bài [4], những dữ liệu đó  đều được xử lý lại để phù hợp cho mục đích làm minh chứng và bổ trợ cho kết quả tính toán và so sánh với đối tượng mới. Để tránh gây hiểu lầm cho phản biện và độc giả về việc mình báo cáo lại kết quả thực nghiệm, cũng như nghĩ mình là tác giả chính và người chịu trách nhiệm về những dữ liệu đó nên mình có thể được sử dụng lại với mục đích làm đối tượng cho kết quả mô phỏng mới, do đó tác giả đã không trích dẫn bài [4] của mình vào. Sau khi nhận được phân tích từ các nhà khoa học có kinh nghiệm, nếu như trong bài [6] có thêm các đồng tác giả từ bài [4] thì cách làm của tác giả chính như suy nghĩ sẽ là hợp lý; tuy nhiên trong trường hợp thực tế khi không có sự tham gia cùng của các đồng nghiệp thì việc thiếu trích dẫn bài [4] của mình là một sai sót. Đây là cái sai sót thứ nhất của tác giả và xin nhận khuyết điểm để tránh lặp lại trong quá trình viết bài sau này.

    Chi tiết kết quả của hai bài báo đề cập được tác giả so sánh dưới đây để bạn đọc nhìn nhận được vấn đề được rõ ràng và khách quan hơn.

    • Liên quan đến Hình 1 trong bài JEM, tác giả đã sử dụng một phần trong Hình 2 của bài [4], cụ thể đó chính là Hình 2(c) và một phổ XRF trong Hình 2(a) vì dây này được sử dụng trong việc so sanh với loại dây khác trong bài JEM. Do vậy trong bài Hình 1 của bài JEM thì Dữ liệu của Hình 1(d) và một phổ của trong Hình 1(b) là được sử dụng lại nhưng đã được xử lý lại để phù hợp với mục đích so sánh (được chú thích trong hình phía dưới), còn lại các phần còn lại trong Hình 1 là hoàn toàn mới không có sự lặp lại với kết quả trước đã công bố.



    •  Đối với Hình 2 trong bài JEM, bỏ qua vấn đề về scale và tên đơn vị trên các trục vì nó không làm thay được bản chất của vấn đề, tùy từng mục đích mà mình để các scale khác nhau. Hình 2(a) trong bài JEM là sự so sánh kết quả thực nghiệm và mô phỏng. Đây là kết quả hoàn toàn mới và có ý nghĩa để chúng tôi công bố công trình [6]. Trong Hình 2(b) của bài JEM được sử dụng một phần dữ liệu trong Hình 2(a) của bài [4] để so sánh (mô tả ở Hình dưới).
    • Đối với Hình 3 trong bài JEM, thì là mới không có sự trùng lặp so với các công bố trước đây

    • Hình 4 trong bài JEM là kết quả PL và kết quả quả mô phỏng để định lượng số lượng oxy khuyết tật trong dây nano. Hình 2(a) của bải JEM thì cũng hoàn toàn chưa được công bố, trong Hình này tác giả đã sử dụng 01 dữ liệu "raw" trong Hình 5 của bài [4] để so sánh (mô tả ở Hình dưới). Một phổ còn lại trong Hình 2(a) là mới và chưa được công bố. Hình 4(b) trong bài JEM thì hoàn toàn mới là kết quả mô phỏng tính toán.


    • Về nội dung 2:Premature inclusion of preliminary data supplied by collaborators without prior approval

      Kết quả PL thì tác giả chính được phía đối tác cung cấp từ thời gian làm PhD, và cho phép sử dụng để hỗ trợ giải thích các kết quả thực nghiệm làm bên phía Pháp, sau khi tác giả xử lý xong và viết bài có sử dụng kết quả đó và công bố chung cùng các đồng nghiệp trên bài [4]. Còn 01 phổ trong Hình 4(a) là không được sử dụng cho mục đích gì từ đó đến nay. Khi có ý tưởng về việc kết hợp việc tính toán mô phỏng để giải quyết vấn đề cho hai loại dây trong bài thì tác giả có sử dụng, do nghĩ đơn thuần là phổ đó đã không được dùng vào các nội dung nghiên cứu chung từ 2014 đến nay và đối tác đã trao quyền sử dụng cho mình, chính vì thế tác giả sử dụng và không thông báo lại với họ mà chỉ cảm ơn ở phần cuối của bài báo. Đây chính là cái sai sót thứ hai của tác giả. Tác giả xin nhận khuyết điểm này và chắc chắn nó sẽ là bài học cho mình cũng như những đồng nghiệp trẻ trong việc hợp tác với các đối tác sau này.

      Kết luận: Việc giải trình như trên để bạn đọc biết rõ về tính mới mẻ của bài báo [6]. Tuy nhiên để xảy ra vấn đề này tác giả chính và cộng sự cũng có những sai sót nhất định như đã nói ở trên. Tác giả xin nhận trách nhiệm về những sai sót xảy ra và sẽ lấy đó làm bài học trong quá trình hợp tác sau này. Tác giả hy vọng được cộng đồng khoa học trong nước chia sẻ, hiểu đúng bản chất vấn đề và xin lỗi vì những phiền toái đã xảy ra.  

      Mọi góp ý, thảo luận về vấn đề khoa học của bài báo xin vui lòng gửi theo địa chỉ email: Địa chỉ email này đã được bảo vệ từ spam bots, bạn cần kích hoạt Javascript để xem nó. , chúng tôi rất cầu thị và sẵn sàng lắng nghe mọi góp ý và trao đổi.

      Thay mặt nhóm tác giả

      (Tác giả chính)

      TS. Chử Mạnh Hưng

      Chi tiết có thể tham khảo trên các công trình liên quan:

      [1].  M. H. Chu et al. Phys. Status Solidi RRL 5, 283 (2011)

      [2].  J, Segura-Ruiz et al. Nano Lett. 11, 5322 (2011).

      [3].  M. H. Chu et al. Appl. Phys. Lett. 103, 141911 (2013)

      [4].  M. H. Chu et al. Phys. Status. Solidi A 211, 483 (2014)

      [5].  M. H. Chu et al. Phys. Status. Solidi A 211, 2523 (2014)

      [6].  M. H. Chu et al. J. electronic materials, 46, 3317 (2017)

    Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 30 Tháng 8 2017 22:54 )

     
    Hội nghị Cảm biến hóa học khu vực Châu Á lần thứ 12 In Email
    Viết bởi Administrator   
    Thứ tư, 15 Tháng 3 2017 09:18

    Hội nghị Cảm biến hóa học khu vực Châu Á lần thứ 12 

     

    Kính gửi các Đồng nghiệp,

    Viện ITIMS tổ chức Hội nghị Cảm biến hóa học khu vực Châu Á lần thứ 12 (the 12th Asian Conference on Chemical Sensors - ACCS 2017) vào ngày 12-15 tháng 11 năm 2017 tại Khách sạn Pan Pacific Hotel Hanoi.

    Cũng trong hội nghị này, Viện ITIMS sẽ tổ chức một Symposium về Advanced Materials and Nanotechnology nhằm kỷ niệm 25 năm ngày thành lập Viện ITIMS. Đây là cơ hội để các đồng nghiệp, bạn bè, cựu học viên và các đối tác thể hiện tình cảm của mình với ITIMS.

    the 12th Asian Conference on Chemical Sensors 

    Hội nghị bao gồm các chủ đề: 

    A – Sensor Fundamentals

    • A1 – Fundamentals: Principle & Methodology
    • A2 – Sensing Mechanism: Semiconductor & Nanotechnology
    • A3 – New Sensing & Functionalized Materials

    B – Sensor System & Devices

    • B1 – Chemical Sensors
    • B2 – Electrochemical Sensor
    • B3 – Optical Sensor
    • B4 – Biochemical Sensors
    • B5 – Bio Inspired Sensing
    • B6 –Hybrid Sensor Devices
    • B7 –Sensor packaging

    C- Application & Technology

    • C1 – E-Nose: Devices and Application
    • C2 – Sensing for Health, Safety and Security
    • C3 – Chemical Sensing for Environmental
    • C4 – Wireless Sensor Network & IoT
    • C5 –Flexible and Stretchable Sensors
    • C6 – Mobile Olfaction
    • C7 –Chemical Sensors for Agriculture and the Food Industry

    D – Chemometrics, Modelling & Evaluation

    • D1 – Sensor Arrays
    • D2 – Data Analysis & Chemometrics
    • D3 – Sensor Fusion
    • D4 – Modelling and Evaluation

    E – Advanced Materials and Nanotechnology

    (This symposium is dedicated to the 25th anniversary of the International Training Institute for Materials Science (ITIMS). We would like to invite all friends of ITIMS to participate in this symposium)

    •  E1 –Magnetism, multiferroism, and topological insulators
    •  E2 – Advanced materials and functional devices
    •  E3 – Micro- and nanotechnology and applications
    •  E4 – Photonics and semiconductor nanophysics

    Ban tổ chức xin trân trong kính mời tất cả đồng nghiệp, bạn bè, cựu học viên,các đối tác, các nhà khoa học gửi bài và tham gia vào hội nghị.


    Chi tiết về hội nghị có thể xem chi tiết tại Website: http://accs2017.org/

    Trân trọng,

    Thay mặt ban tổ chức,

    GS.TS. Nguyễn Văn Hiếu

    Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 15 Tháng 3 2017 10:15 )

     
    6th Asian Symposium on Advanced Materials 2017 In Email
    Viết bởi Admin   
    Thứ tư, 22 Tháng 2 2017 11:15

    Following the previous Asian Symposium on Advanced Materials (ASAM), we are organizing the 6th Asian Symposium on Advanced Materials: Chemistry, Physics & Biomedicine of Functional and Novel Materials (ASAM-6) on September 27-30, 2017 at Hoa Binh Hotel, Hanoi, Vietnam.

    The previous symposiums were held at  Vladivostok, Russia (organized by Professors Yury Shchipunov and Chang-Sik Ha), Shanghai, China (organized by Professors Dongyuan Zhao and Limin Wu), Fukuoka, Japan (organized by Professors Atsushi Takahara and Jian Ping Gong, Taipei, Taiwan (organized by Professor Toyoko Imae), and Busan, Korea (organized by Professor Chang-Sik Ha and Professor Yury Schchipunov).

    This symposium is intended as a forum for interdisciplinary discussion between scientists and engineers from Asian universities, research institutions and companies, who are investigating or concerned themselves in advanced materials. Such materials can serve for improving and developing chemical engineering, nanotechnology, microelectronics, optics, environmental science and biomedical technologies, they make human life healthy and comfortable in quality.

    In view of your research, development expertise, and valuable scientific contributions, on behalf of the ASAM-6 Organization Committee, I would like to invite you and your colleagues to write the paper and attend the ASAM-6. The symposium will be attended by world class experts in fields of the advanced materials.  We would encourage participants to meet and collaborate in research.  The First Circular of the ASAM-6 attached here that provides you more information in detail.


     
    Một vài hình ảnh tại Hội nghị ICAMN 2016 về Vật liệu Tiên tiến và Công nghệ Nano In Email
    Viết bởi Admin   
    Thứ năm, 06 Tháng 10 2016 21:57

    Hội nghị Quốc tế lần thứ ba về Vật liệu Tiên tiến và Công nghệ Nano (The third International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology - ICAMN 2016) do viện ITIMS tổ chức từ ngày 02/10/2016 đến 05/10/2016 đã diễn ra thành công tốt đẹp, một sự kiện ý nghĩa để chào mừng lễ kỷ niệm 60 năm Thành lập Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội.

    Hội nghị ICAMN 2016 về Vật liệu Tiên tiến và Công nghệ Nano 

    Hội nghị thu hút được đông đảo các nhà khoa học quốc tế  và trong nước uy tín tham gia với gần 200 đại biểu đến từ các nước Pháp, Ý, Hà Lan, Nhật Bản, Hàn Quốc, Trung Quốc, Đài Loan, Thái Lan và Việt Nam. Hội nghị có trên 50 bài báo cáo Oral100 bài trình bày Poster. Các báo cáo Oral được chia thành 8 Sessions với các chủ đề:
    Lần cập nhật cuối ( Thứ năm, 06 Tháng 10 2016 23:55 )
    Đọc thêm...

     
    International practical summer course: How to make a photodiode In Email
    Viết bởi Admin   
    Thứ hai, 04 Tháng 7 2016 13:14

    The yearly, unique in Vietnam, international practical summer course “How to make a photodiode” was given again at the Institute ITIMS (International Trainings Institute Materials and Science).

    For this practical summer course the well-equipped ITIMS clean room facility was used.

    Under supervision of two IC technology specialist from ITIMS, (Nguyen Van Toan, Nguyen Van Duy) and one specialist in IC technology from the MESA+ institute of the Netherlands (Tom Aarnink), the students got a hands-on training in IC technology. By a smart mask-set design, not only diodes but also p-channel MOSFET transistors were made and explained.

    The photodiode is an interesting device because it allows the study of some elementary characteristics of semiconductor materials. Moreover, the processing is not too complicated for a practical assignment and it is very instructive since it closely resembles the processing of IC’s.

    The processing:

    The photodiode consist of p+n junctions realized on a 4 inch n-type silicon wafer. On top of this wafer a layer of SiO2 with a high boron concentration has been deposited.

    After photo lithography steps and boron oxide etching, the wafer is heated up and the boron will diffuse into the silicon and thus create a p-type region.

    International practical summer course: How to make a photodiode

    Metallization with aluminum in the High Vacuum sputter machine

    Metallization with aluminum in the High Vacuum sputter machine.

    Before the electrical measurements can start, aluminum must be sputtered onto the wafer in a so called High Vacuum sputter machine. After the metallization the photodiodes and transistors are finished and the measuring of the I-V curves can start.

     The electrical properties of the photodiode are measured.

    The electrical properties of the photodiode are measured.

    The photodiode on a 4 inch silicon wafer

    The photodiode on a 4 inch silicon wafer

    The electrical properties of the photodiode

    The electrical properties of the photodiode

    During summer course many topics related to the modern IC technology were explained.

    All 12 students successfully passed this course and received a certificate of participation.


    This practical course is supported by:

    Lần cập nhật cuối ( Thứ tư, 06 Tháng 7 2016 15:25 )

     
    << Bắt đầu < Lùi 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Tiếp theo > Cuối >>

    Trang 1 của 14

    Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


    Thời khóa biểu
    Lịch làm việc học viên ITIMS

    Lịch công tác ĐHBKHN
    Lịch công tác ĐHBKHN

    Thăm dò ý kiến

    Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?